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UPD4217400G3M-70

更新时间： 2024-11-25 20:17:03

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
34页	850K
描述
Fast Page DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/24

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UPD4217400G3M-70 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/24
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.74
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G24
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	24
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2-R	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	2048	座面最大高度：	1.1 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...34

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPD4217400G3M-80	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/24
UPD4217400G5-60	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28/24
UPD4217400G5-70	ETC	获取价格	x4 Fast Page Mode DRAM
UPD4217400G5-80	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28/24
UPD4217400G5M-60	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-28/24
UPD4217400G5M-70	ETC	获取价格	x4 Fast Page Mode DRAM
UPD4217400G5M-80	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-28/24
UPD4217400LA-50	RENESAS	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
UPD4217400LA-50	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
UPD4217400LA-50E2	RENESAS	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24