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UPD4217180LLE-A80

更新时间： 2024-02-14 10:44:36

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
38页	857K
描述
Fast Page DRAM, 1MX18, 80ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42

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UPD4217180LLE-A80 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	80 ns
其他特性：	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-J42
长度：	27.41 mm	内存密度：	18874368 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	18
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	42	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX18	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	2048	座面最大高度：	3.7 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...38

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPD4217400G3-50	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24
UPD4217400G3-50-7JD	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24
UPD4217400G3-50-7JD	RENESAS	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24
UPD4217400G3-60	NEC	获取价格	4MX4 FAST PAGE DRAM, 60ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24
UPD4217400G3-60-7JD	RENESAS	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24
UPD4217400G3-60-7JD	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24
UPD4217400G3-70	ETC	获取价格	x4 Fast Page Mode DRAM
UPD4217400G3-70-7JD	RENESAS	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24
UPD4217400G3-80	ETC	获取价格	x4 Fast Page Mode DRAM
UPD4217400G3-80-7JD	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24