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UPD4217102G5M-60

更新时间: 2024-02-28 23:12:33
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 91K
描述
Static Column DRAM, 16MX1, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-28/24

UPD4217102G5M-60 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-28/24
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
访问模式:STATIC COLUMN最长访问时间:60 ns
其他特性:RAS ONLY REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G24
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:STATIC COLUMN DRAM
内存宽度:1功能数量:1
端口数量:1端子数量:24
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:ASYNCHRONOUS组织:16MX1
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2-R
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.1 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

UPD4217102G5M-60 数据手册

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