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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | ZIP | 包装说明： | ZIP, ZIP24,.1 |
| 针数： | 24 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 70 ns | I/O 类型： | SEPARATE |
| JESD-30 代码： | R-PZIP-T24 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存集成电路类型： | FAST PAGE DRAM |
| 内存宽度： | 1 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 16777216 words | 字数代码： | 16000000 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 16MX1 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | ZIP |
| 封装等效代码： | ZIP24,.1 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 2048 |
| 自我刷新： | NO | 最大待机电流： | 0.001 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.1 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | ZIG-ZAG |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UPD4217100V-80 | RENESAS |
获取价格 |
IC,DRAM,FAST PAGE,16MX1,CMOS,ZIP,24PIN,PLASTIC |
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| UPD4217101G5-10 | ETC |
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x1 Nibble Mode DRAM |
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| UPD4217101G5-60 | ETC |
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x1 Nibble Mode DRAM |
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| UPD4217101G5-70 | ETC |
获取价格 |
x1 Nibble Mode DRAM |
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| UPD4217101G5-80 | ETC |
获取价格 |
x1 Nibble Mode DRAM |
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| UPD4217101G5M-10 | ETC |
获取价格 |
x1 Nibble Mode DRAM |
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| UPD4217101G5M-60 | ETC |
获取价格 |
x1 Nibble Mode DRAM |
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| UPD4217101G5M-70 | ETC |
获取价格 |
x1 Nibble Mode DRAM |
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| UPD4217101G5M-80 | ETC |
获取价格 |
x1 Nibble Mode DRAM |
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| UPD4217101LE-10 | ETC |
获取价格 |
x1 Nibble Mode DRAM |
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