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UPD4217100V-80

更新时间: 2024-02-25 08:54:39
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 动态存储器
页数 文件大小 规格书
52页 2441K
描述
IC,DRAM,FAST PAGE,16MX1,CMOS,ZIP,24PIN,PLASTIC

UPD4217100V-80 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:ZIP包装说明:ZIP, ZIP24,.1
针数:24Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:80 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PZIP-T24
JESD-609代码:e0内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:1
端子数量:24字数:16777216 words
字数代码:16000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16MX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:ZIP封装等效代码:ZIP24,.1
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:2048自我刷新:NO
最大待机电流:0.001 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.09 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:1.27 mm
端子位置:ZIG-ZAGBase Number Matches:1

UPD4217100V-80 数据手册

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