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UPD4217101V-10

更新时间: 2024-02-22 17:15:57
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其他 - ETC 内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
3页 101K
描述
x1 Nibble Mode DRAM

UPD4217101V-10 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:0.425 INCH, PLASTIC, ZIP-24
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
访问模式:NIBBLE最长访问时间:100 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESHJESD-30 代码:R-PZIP-T24
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:NIBBLE MODE DRAM
内存宽度:1功能数量:1
端口数量:1端子数量:24
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:ASYNCHRONOUS组织:16MX1
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:ZIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
认证状态:Not Qualified座面最大高度:12.07 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:1.27 mm端子位置:ZIG-ZAG
宽度:2.8 mmBase Number Matches:1

UPD4217101V-10 数据手册

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