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UPD4217100V-60

更新时间： 2024-02-09 07:27:55

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
34页	819K
描述
Fast Page DRAM, 16MX1, 60ns, CMOS, PZIP24, 0.475 INCH, PLASTIC, ZIP-24

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UPD4217100V-60 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	0.475 INCH, PLASTIC, ZIP-24
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	JESD-30 代码：	R-PZIP-T24
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	1	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	24
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX1
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	ZIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	2048	座面最大高度：	12.07 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	ZIG-ZAG	宽度：	2.8 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...34

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPD4217100V-70	RENESAS	获取价格	IC,DRAM,FAST PAGE,16MX1,CMOS,ZIP,24PIN,PLASTIC
UPD4217100V-80	RENESAS	获取价格	IC,DRAM,FAST PAGE,16MX1,CMOS,ZIP,24PIN,PLASTIC
UPD4217101G5-10	ETC	获取价格	x1 Nibble Mode DRAM
UPD4217101G5-60	ETC	获取价格	x1 Nibble Mode DRAM
UPD4217101G5-70	ETC	获取价格	x1 Nibble Mode DRAM
UPD4217101G5-80	ETC	获取价格	x1 Nibble Mode DRAM
UPD4217101G5M-10	ETC	获取价格	x1 Nibble Mode DRAM
UPD4217101G5M-60	ETC	获取价格	x1 Nibble Mode DRAM
UPD4217101G5M-70	ETC	获取价格	x1 Nibble Mode DRAM
UPD4217101G5M-80	ETC	获取价格	x1 Nibble Mode DRAM