生命周期: | Obsolete | 包装说明: | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28/24 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
访问模式: | FAST PAGE | 最长访问时间: | 80 ns |
其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | JESD-30 代码: | R-PDSO-J24 |
长度: | 18.67 mm | 内存密度: | 16777216 bit |
内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM | 内存宽度: | 1 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 字数: | 16777216 words |
字数代码: | 16000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 16MX1 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOJ |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 2048 |
座面最大高度: | 3.7 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
UPD4217100V-10 | ETC |
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x1 Fast Page Mode DRAM | |
UPD4217100V-60 | NEC |
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Fast Page DRAM, 16MX1, 60ns, CMOS, PZIP24, 0.475 INCH, PLASTIC, ZIP-24 | |
UPD4217100V-70 | RENESAS |
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IC,DRAM,FAST PAGE,16MX1,CMOS,ZIP,24PIN,PLASTIC | |
UPD4217100V-80 | RENESAS |
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IC,DRAM,FAST PAGE,16MX1,CMOS,ZIP,24PIN,PLASTIC | |
UPD4217101G5-10 | ETC |
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x1 Nibble Mode DRAM | |
UPD4217101G5-60 | ETC |
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x1 Nibble Mode DRAM | |
UPD4217101G5-70 | ETC |
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x1 Nibble Mode DRAM | |
UPD4217101G5-80 | ETC |
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x1 Nibble Mode DRAM | |
UPD4217101G5M-10 | ETC |
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x1 Nibble Mode DRAM | |
UPD4217101G5M-60 | ETC |
获取价格 |
x1 Nibble Mode DRAM |