是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SOJ, SOJ24/28,.44 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 80 ns |
I/O 类型: | SEPARATE | JESD-30 代码: | R-PDSO-J24 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 16777216 bit |
内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM | 内存宽度: | 1 |
端子数量: | 24 | 字数: | 16777216 words |
字数代码: | 16000000 | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 16MX1 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOJ | 封装等效代码: | SOJ24/28,.44 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 2048 | 自我刷新: | NO |
最大待机电流: | 0.001 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.09 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
UPD4217100V-10 | ETC |
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x1 Fast Page Mode DRAM | |
UPD4217100V-60 | NEC |
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Fast Page DRAM, 16MX1, 60ns, CMOS, PZIP24, 0.475 INCH, PLASTIC, ZIP-24 | |
UPD4217100V-70 | RENESAS |
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IC,DRAM,FAST PAGE,16MX1,CMOS,ZIP,24PIN,PLASTIC | |
UPD4217100V-80 | RENESAS |
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IC,DRAM,FAST PAGE,16MX1,CMOS,ZIP,24PIN,PLASTIC | |
UPD4217101G5-10 | ETC |
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x1 Nibble Mode DRAM | |
UPD4217101G5-60 | ETC |
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x1 Nibble Mode DRAM | |
UPD4217101G5-70 | ETC |
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x1 Nibble Mode DRAM | |
UPD4217101G5-80 | ETC |
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x1 Nibble Mode DRAM | |
UPD4217101G5M-10 | ETC |
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x1 Nibble Mode DRAM | |
UPD4217101G5M-60 | ETC |
获取价格 |
x1 Nibble Mode DRAM |