5秒后页面跳转
UPD4217100G3-60 PDF预览

UPD4217100G3-60

更新时间: 2024-01-18 22:18:20
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
28页 525K
描述
x1 Fast Page Mode DRAM

UPD4217100G3-60 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2,
针数:26Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.92Is Samacsys:N
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:60 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G24
长度:17.14 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:24字数:16777216 words
字数代码:16000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16MX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态:Not Qualified刷新周期:2048
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

UPD4217100G3-60 数据手册

 浏览型号UPD4217100G3-60的Datasheet PDF文件第2页浏览型号UPD4217100G3-60的Datasheet PDF文件第3页浏览型号UPD4217100G3-60的Datasheet PDF文件第4页浏览型号UPD4217100G3-60的Datasheet PDF文件第5页浏览型号UPD4217100G3-60的Datasheet PDF文件第6页浏览型号UPD4217100G3-60的Datasheet PDF文件第7页 
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003  

与UPD4217100G3-60相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UPD4217100G3-70 ETC

获取价格

x1 Fast Page Mode DRAM
UPD4217100G3-80 ETC

获取价格

x1 Fast Page Mode DRAM
UPD4217100G3M-50 ETC

获取价格

x1 Fast Page Mode DRAM
UPD4217100G3M-60 RENESAS

获取价格

16MX1 FAST PAGE DRAM, 60ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/24
UPD4217100G3M-70 RENESAS

获取价格

IC,DRAM,FAST PAGE,16MX1,CMOS,TSOP,24PIN,PLASTIC
UPD4217100G3M-70 NEC

获取价格

Fast Page DRAM, 16MX1, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/24
UPD4217100G3M-80 ETC

获取价格

x1 Fast Page Mode DRAM
UPD4217100G5-60 ETC

获取价格

x1 Fast Page Mode DRAM
UPD4217100G5-70 RENESAS

获取价格

IC,DRAM,FAST PAGE,16MX1,CMOS,TSOP,24PIN,PLASTIC
UPD4217100G5-70 NEC

获取价格

Fast Page DRAM, 16MX1, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28/24