Datasheet > UPA810T-T1GB-A

UPA810T-T1GB-A

更新时间： 2024-11-04 15:56:07

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器 ISM频段光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	44K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, PLASTIC, SO-6

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UPA810T-T1GB-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, SO-6	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.59	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	1.5 pF
集电极-发射极最大电压：	12 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4500 MHz
Base Number Matches：	1

UPA810T-T1GB-A 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

µPA810T

HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

(WITH BUILT-IN 6-PIN 2 × 2SC4226) SMALL MINI MOLD

PACKAGE DRAWINGS

The µPA810T has built-in 2 low-voltage transistors which are designed to

(Unit: m m )

amplify low noise in the VHF band to the UHF band.

2.1±0.1

FEATURES

1.25±0.1

•

Low Noise

NF = 1.2 dB TYP. @ f = 1 GHz, V^CE= 3 V, IC = 7 mA

•

High Gain

|S^21e|²= 9.0 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA

A Small Mini Mold Package Adopted

Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4226)

•

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

QUANTITY

PACKING STYLE

µPA810T

Loose products

(50 PCS)

Embossed tape 8 mm wide. Pin 6 (Q1

Base), Pin 5 (Q1 Emitter), Pin 4 (Q2 Emitter)

face to perforation side of the tape.

µPA810T-T1

Taping products

(3 KPCS/Reel)

Remark If you require an evaluation sample, please contact an NEC Sales

PIN CONFIGURATION (Top View)

Representative. (Unit sample quantity is 50 pcs.)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)

PARAMETER

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

RATING

UNIT

100

PIN CONNECTIONS

1. Collector (Q1)

2. Base (Q2)

Total Power Dissipation

150 in 1 element

200 in 2 elements

4. Emitter (Q2)

5. Emitter (Q1)

6. Base (Q1)

Note

3. Collector (Q2)

Junction Temperature

Storage Temperature

150

˚C

Tstg

–65 to +150

Note 110 mW must not be exceeded in 1 element.

The inform ation in this docum ent is subject to change w ithout notice.

Document No. P11463EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published June 1996 P

Printed in Japan

1996

12 3 4 5 6

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与UPA810T-T1GB-A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA811	NEC	获取价格	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC4
UPA811T	NEC	获取价格	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC4
UPA811T	RENESAS	获取价格	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
UPA811T	CEL	获取价格	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
UPA811T_09	CEL	获取价格	NPN SILICON HIGH
UPA811T_V1	CEL	获取价格	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
UPA811T-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
UPA811T-FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
UPA811T-FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
UPA811T-GB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sil

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