UPA811T

更新时间： 2024-11-04 12:47:19

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日电电子 - NEC		晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管
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6页	51K
描述
HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC4228 SMALL MINI MOLD

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UPA811T 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.63	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.035 A
基于收集器的最大容量：	1.5 pF	集电极-发射极最大电压：	10 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	8000 MHz
Base Number Matches：	1

UPA811T 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

µPA811T

HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

(WITH BUILT-IN 2 × 2SC4228) SMALL MINI MOLD

The µPA811T has built-in 2 low-voltage transistors which are designed to

PACKAGE DRAWINGS

amplify low noise in the VHF band to the UHF band.

(Unit: m m )

2.1±0.1

FEATURES

1.25±0.1

•

Low Noise

NF = 1.9 dB TYP. @ f = 2 GHz, V^CE= 1 V, IC = 3 mA

•

High Gain

|S^21e|²= 6.5 dB TYP. @ f = 2 GHz, VCE = 1 V, IC = 3 mA

A Small Mini Mold Package Adopted

Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4228)

•

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

QUANTITY

PACKING STYLE

µPA811T

Loose products

(50 PCS)

Embossed tape 8 mm wide. Pin 6 (Q1

Base), Pin 5 (Q1 Emitter), Pin 4 (Q2 Emitter)

face to perforation side of the tape.

µPA811T-T1

Taping products

(3 KPCS/Reel)

PIN CONFIGURATION (Top View)

Remark If you require an evaluation sample, please contact an NEC Sales

Representative. (Unit sample quantity is 50 pcs.)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)

PARAMETER

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

RATING

UNIT

1.5

PIN CONNECTIONS

1. Collector (Q1)

2. Base (Q2)

4. Emitter (Q2)

5. Emitter (Q1)

6. Base (Q1)

Total Power Dissipation

150 in 1 element

200 in 2 elements

Note

3. Collector (Q2)

Junction Temperature

Storage Temperature

150

˚C

Tstg

–65 to +150

Note 110 mW must not be exceeded in 1 element.

The inform ation in this docum ent is subject to change w ithout notice.

Document No. P11464EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published June 1996 P

Printed in Japan

1996

12 3 4 5 6

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UPA811T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
UPA800T	CEL	功能相似	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
BFS482	INFINEON	功能相似	NPN Silicon RF Transistor (For low-noise, high-gain broadband amplifiers at collector curr

与UPA811T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA811T_09	CEL	获取价格	NPN SILICON HIGH
UPA811T_V1	CEL	获取价格	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
UPA811T-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
UPA811T-FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
UPA811T-FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
UPA811T-GB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
UPA811T-GB	RENESAS	获取价格	2 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SO-6
UPA811T-GB-A	RENESAS	获取价格	2 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SO-6
UPA811T-GB-A	NEC	获取价格	暂无描述
UPA811TGB-T1	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PAIR,NPN,10V V(BR)CEO,35MA I(C),SOT-363

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