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UPA811T-T1GB

更新时间： 2024-02-09 06:04:34

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	43K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, PLASTIC, SO-6

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UPA811T-T1GB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.31
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.035 A
基于收集器的最大容量：	0.7 pF	集电极-发射极最大电压：	10 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	160
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e0	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	8000 MHz

UPA811T-T1GB 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

µPA811T

HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

(WITH BUILT-IN 2 × 2SC4228) SMALL MINI MOLD

The µPA811T has built-in 2 low-voltage transistors which are designed to

PACKAGE DRAWINGS

amplify low noise in the VHF band to the UHF band.

(Unit: m m )

2.1±0.1

FEATURES

1.25±0.1

•

Low Noise

NF = 1.9 dB TYP. @ f = 2 GHz, V^CE= 1 V, IC = 3 mA

•

High Gain

|S^21e|²= 6.5 dB TYP. @ f = 2 GHz, VCE = 1 V, IC = 3 mA

A Small Mini Mold Package Adopted

Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4228)

•

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

QUANTITY

PACKING STYLE

µPA811T

Loose products

(50 PCS)

Embossed tape 8 mm wide. Pin 6 (Q1

Base), Pin 5 (Q1 Emitter), Pin 4 (Q2 Emitter)

face to perforation side of the tape.

µPA811T-T1

Taping products

(3 KPCS/Reel)

PIN CONFIGURATION (Top View)

Remark If you require an evaluation sample, please contact an NEC Sales

Representative. (Unit sample quantity is 50 pcs.)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)

PARAMETER

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

RATING

UNIT

1.5

PIN CONNECTIONS

1. Collector (Q1)

2. Base (Q2)

4. Emitter (Q2)

5. Emitter (Q1)

6. Base (Q1)

Total Power Dissipation

150 in 1 element

200 in 2 elements

Note

3. Collector (Q2)

Junction Temperature

Storage Temperature

150

˚C

Tstg

–65 to +150

Note 110 mW must not be exceeded in 1 element.

The inform ation in this docum ent is subject to change w ithout notice.

Document No. P11464EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published June 1996 P

Printed in Japan

1996

12 3 4 5 6

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与UPA811T-T1GB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA811T-T1GB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
UPA812	NEC	获取价格	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC4
UPA812T	NEC	获取价格	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC4
UPA812T	CEL	获取价格	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
UPA812T_09	CEL	获取价格	NPN SILICON HIGH
UPA812T_V1	CEL	获取价格	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
UPA812T-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
UPA812TFB	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 10V V(BR)CEO \| 65MA I(C) \| SOT-363
UPA812T-FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
UPA812TFB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sil

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