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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> UPA812T-GB
UPA812T-GB PDF预览

UPA812T-GB

更新时间： 2024-02-07 03:40:16
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 52K
描述
2 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-6

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UPA812T-GB 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.08最大集电极电流 (IC)：0.065 A
基于收集器的最大容量：0.9 pF集电极-发射极最大电压：10 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e6
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN BISMUTH
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：7000 MHz
Base Number Matches：1

UPA812T-GB 数据手册

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PRELIMINARY DATA SHEET  
SILICON TRANSISTOR  
µPA812T  
HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER  
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR  
(WITH BUILT-IN 2 × 2SC4227) SMALL MINI MOLD  
The µPA812T has built-in 2 low-voltage transistors which are designed to  
PACKAGE DRAWINGS  
amplify low noise in the VHF band to the UHF band.  
(Unit: m m )  
2.1±0.1  
FEATURES  
1.25±0.1  
•
Low Noise  
NF = 1.4 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA  
•
High Gain  
|S21e|2 = 12 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA  
A Small Mini Mold Package Adopted  
Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4227)  
•
•
ORDERING INFORMATION  
PART NUMBER  
QUANTITY  
PACKING STYLE  
µPA812T  
Loose products  
(50 PCS)  
Embossed tape 8 mm wide. Pin 6 (Q1  
Base), Pin 5 (Q1 Emitter), Pin 4 (Q2 Emitter)  
face to perforation side of the tape.  
µPA812T-T1  
Taping products  
(3 KPCS/Reel)  
PIN CONFIGURATION (Top View)  
Remark If you require an evaluation sample, please contact an NEC Sales  
Representative. (Unit sample quantity is 50 pcs.)  
6
5
2
4
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)  
Q
1
PARAMETER  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
20  
UNIT  
V
Q
2
1
3
10  
V
1.5  
V
65  
mA  
mW  
PIN CONNECTIONS  
1. Collector (Q1)  
2. Base (Q2)  
Total Power Dissipation  
PT  
150 in 1 element  
200 in 2 elements  
4. Emitter (Q2)  
5. Emitter (Q1)  
6. Base (Q1)  
Note  
3. Collector (Q2)  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–65 to +150  
Note 110 mW must not be exceeded in 1 element.  
The inform ation in this docum ent is subject to change w ithout notice.  
Document No. P11465EJ1V0DS00 (1st edition)  
Date Published June 1996 P  
Printed in Japan  
1995  
©
123456

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与UPA812T-GB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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