Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> UPA813T-T1

UPA813T-T1

更新时间： 2024-01-18 12:14:35

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管
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8页	56K
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NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC4570 SMALL MINI MOLD

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UPA813T-T1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, SO-6	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.62	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	基于收集器的最大容量：	0.9 pF
集电极-发射极最大电压：	12 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	5500 MHz	Base Number Matches：	1

UPA813T-T1 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

µPA813T

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

(WITH BUILT-IN 2 × 2SC4570) SMALL MINI MOLD

µPA813T has built-in 2 transistors which were developed for UHF.

PACKAGE DRAWINGS

(Unit: mm)

FEATURES

2.1±0.1

•

High fT

1.25±0.1

fT = 5.5 GHz TYP. (@VCE = 5 V, IC = 5 mA, f = 1 GHz)

Small Collector Capacitance

•

C^ob= 0.7 pF TYP. (@VCB = 5 V, IE = 0, f = 1 MHz)

A Surface Mounting Package Adopted

Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4570)

•

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

QUANTITY

PACKING STYLE

µPA813T

Loose products

(50 PCS)

Embossed tape 8 mm wide. Pin 6 (Q1

Base), Pin 5 (Q1 Emitter), Pin 4 (Q2 Emitter)

face to perforation side of the tape.

µPA813T-T1

Taping products

(3 KPCS/Reel)

PIN CONFIGURATION (Top View)

Remark If you require an evaluation sample, please contact an NEC Sales

Representative. (Unit sample quantity is 50 pcs.)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)

PARAMETER

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

RATING

UNIT

Total Power Dissipation

120 in 1 element

PIN CONNECTIONS

1. Collector (Q1)

2. Base (Q2)

160 in 2 elements^Note

4. Emitter (Q2)

5. Emitter (Q1)

6. Base (Q1)

Junction Temperature

Storage Temperature

125

˚C

3. Collector (Q2)

Tstg

–55 to +125

Note 90 mW must not be exceeded in 1 element.

The information in this document is subject to change without notice.

Document No. P11466EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published June 1996 P

Printed in Japan

1995

12 3 4 5 6 7 8

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与UPA813T-T1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA813T-T1FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
UPA813T-T1FB	RENESAS	获取价格	2 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
UPA813T-T1-FB	RENESAS	获取价格	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
UPA813T-T1FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
UPA813T-T1GB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
UPA813T-T1-GB	RENESAS	获取价格	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
UPA813T-T1GB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
UPA814	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5195 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA
UPA814T	CEL	获取价格	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
UPA814TC	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5195 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA

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