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UPA814TKB

更新时间： 2024-01-22 06:42:41

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其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	63K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 6V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-363

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UPA814TKB 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.1	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	0.85 pF	集电极-发射极最大电压：	6 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e6
元件数量：	2	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	9000 MHz
Base Number Matches：	1

UPA814TKB 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

µPA814T

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

(WITH BUILT-IN 2 × 2SC5193) SMALL MINI MOLD

FEATURES

PACKAGE DRAWINGS

•

Low Voltage Operation, Low Phase Distortion

(Unit: m m )

Low Noise

2.1 ±0.1

NF = 1.5 dB TYP. @V^CE= 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz

NF = 1.7 dB TYP. @V^CE= 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

Large Absolute Maximum Collector Current

I^C= 100 mA

1.25 ±0.1

•

A Small Mini Mold Package Adopted

Built-in 2 Transistors (2 × 2SC5193)

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

QUANTITY

PACKING STYLE

µPA814T

Loose products

(50 PCS)

Embossed tape 8 mm wide. Pin 6 (Q1

Base), Pin 5 (Q1 Emitter), Pin 4 (Q2 Emitter)

face to perforation side of the tape.

µPA814T-T1

Taping products

(3 KPCS/Reel)

Rem ark If you require an evaluation sample, please contact an NEC Sales

PIN CONFIGURATION (Top View)

Representative. (Unit sample quantity is 50 pcs.)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)

PARAMETER

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

RATING

UNIT

100

Total Power Dissipation

150 in 1 element

200 in 2 elements

Note

PIN CONNECTIONS

1. Collector (Q1)

2. Base (Q2)

Junction Temperature

Storage Temperature

150

˚C

4. Emitter (Q2)

5. Emitter (Q1)

6. Base (Q1)

Tstg

–65 to +150

3. Collector (Q2)

Note 110 mW must not be exceeded in 1 element.

This device uses radio frequency technology. Take due precautions to protect it from excessive input levels such as static electricity.

The information in this document is subject to change without notice.

Document No. P11467EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published June 1996 P

Printed in Japan

1995

12 3 4 5 6 7...10

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与UPA814TKB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA814T-KB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC, S
UPA814T-KB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC, S
UPA814T-T1	ETC	获取价格	BJT
UPA814T-T1-A	CEL	获取价格	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
UPA814T-T1KB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD P
UPA814T-T1KB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC, S
UPA8155	UTC	获取价格	class ab/d optional second generation class-d audi...
UPA81C	NEC	获取价格	LED, LAMP DRIVER NPN SILICON EPTAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
UPA821	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE
UPA821TC	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE

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