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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.1 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 0.85 pF | 集电极-发射极最大电压： | 6 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最高频带： | L BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e6 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN BISMUTH |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 9000 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UPA814T-T1 | ETC |
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BJT |
|
| UPA814T-T1-A | CEL |
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NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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| UPA814T-T1KB | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD P |
|
| UPA814T-T1KB-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC, S |
|
| UPA8155 | UTC |
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class ab/d optional second generation class-d audi... |
|
| UPA81C | NEC |
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LED, LAMP DRIVER NPN SILICON EPTAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY |
|
| UPA821 | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE |
|
| UPA821TC | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE |
|
| UPA821TC-FB | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
|
| UPA821TC-T1 | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE |
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