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UPA814T

更新时间： 2024-02-10 19:44:18
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4页 159K
描述
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

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UPA814T 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.1Is Samacsys：N
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.1 A
基于收集器的最大容量：0.85 pF集电极-发射极最大电压：6 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e6
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN BISMUTH
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：9000 MHz
Base Number Matches：1

UPA814T 数据手册

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NPN SILICON HIGH  
FREQUENCY TRANSISTOR  
UPA814T  
FEATURES  
OUTLINE DIMENSIONS (Units in mm)  
•
SMALL PACKAGE STYLE:  
PACKAGE OUTLINE S06  
2 NE688 Die in a 2 mm x 1.25 mm package  
•
LOW NOISE FIGURE:  
2.1 ± 0.1  
NF = 1.5 dB TYP at 2 GHz  
1.25 ± 0.1  
•
•
HIGH GAIN BANDWIDTH: fT = 9 GHz  
HIGH COLLECTOR CURRENT: 100 mA  
1
2
6
5
0.65  
DESCRIPTION  
2.0 ± 0.2  
0.2 (All Leads)  
NEC's UPA814T is two NPN high frequency silicon epitaxial  
transistors encapsulated in an ultra small 6 pin SMT package.  
Each transistor is independently mounted and easily config-  
ured for either dual transistor or cascode operation. The high  
fT, low voltage bias and small size make this device suited for  
various hand-held wireless applications.  
1.3  
3
4
0.9 ± 0.1  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1 (TA = 25°C)  
0.7  
SYMBOLS  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PARAMETERS  
UNITS  
RATINGS  
+0.10  
- 0.05  
0.15  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current  
V
V
9
6
0 ~ 0.1  
V
2
mA  
100  
PIN OUT  
PT  
Total Power Dissipation  
1. Collector Transistor 1  
2. Base Transistor 2  
3. Collector Transistor 2  
4. Emitter Transistor 2  
5. Emitter Transistor 1  
6. Base Transistor 1  
1 Die  
2 Die  
mW  
mW  
110  
200  
TJ  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
°C  
°C  
150  
TSTG  
-65 to +150  
Note: 1.Operation in excess of any one of these parameters may  
result in permanent damage.  
Note:  
Pin 3 is identified with a circle on the bottom of the package.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)  
PART NUMBER  
PACKAGE OUTLINE  
UPA814T  
S06  
SYMBOLS  
PARAMETERS AND CONDITIONS  
UNITS  
MIN  
TYP  
MAX  
ICBO  
IEBO  
Collector Cutoff Current at VCB = 5V, IE = 0  
µA  
µA  
0.1  
0.1  
Emitter Cutoff Current at VEB = 1 V, IC = 0  
1
hFE  
Forward Current Gain at VCE = 1 V, IC = 3 mA  
Gain Bandwidth at VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz  
Feedback Capacitance at VCB = 1 V, IE = 0, f = 1 MHz  
Insertion Power Gain at VCE = 3 V, IC =20 mA, f = 2 GHz  
Noise Figure at VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz  
80  
110  
9.0  
160  
fT  
GHz  
pF  
Cre2  
|S21E|2  
NF  
0.75  
6.5  
0.85  
dB  
dB  
1.5  
hFE1 = Smaller Value of Q1, or Q2  
hFE2 = Larger Value of Q1 or Q2  
hFE1/hFE2  
hFE Ratio:  
0.85  
Notes: 1. Pulsed measurement, pulse width ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2 %.  
2. The emitter terminal should be connected to the ground terminal of the 3 terminal capacitance bridge.  
For Tape and Reel version use part number UPA814T-T1, 3K per reel.  
California Eastern Laboratories  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		暂无描述
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