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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> UPA813TGB
UPA813TGB PDF预览

UPA813TGB

更新时间： 2024-01-30 05:46:02
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 56K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,

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UPA813TGB 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.07
最大集电极电流 (IC)：0.03 A基于收集器的最大容量：0.9 pF
集电极-发射极最大电压：12 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：5500 MHzBase Number Matches：1

UPA813TGB 数据手册

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PRELIMINARY DATA SHEET  
SILICON TRANSISTOR  
µPA813T  
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR  
(WITH BUILT-IN 2 × 2SC4570) SMALL MINI MOLD  
µPA813T has built-in 2 transistors which were developed for UHF.  
PACKAGE DRAWINGS  
(Unit: mm)  
FEATURES  
2.1±0.1  
•
High fT  
1.25±0.1  
fT = 5.5 GHz TYP. (@VCE = 5 V, IC = 5 mA, f = 1 GHz)  
Small Collector Capacitance  
•
Cob = 0.7 pF TYP. (@VCB = 5 V, IE = 0, f = 1 MHz)  
A Surface Mounting Package Adopted  
Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4570)  
•
•
ORDERING INFORMATION  
PART NUMBER  
QUANTITY  
PACKING STYLE  
µPA813T  
Loose products  
(50 PCS)  
Embossed tape 8 mm wide. Pin 6 (Q1  
Base), Pin 5 (Q1 Emitter), Pin 4 (Q2 Emitter)  
face to perforation side of the tape.  
µPA813T-T1  
Taping products  
(3 KPCS/Reel)  
PIN CONFIGURATION (Top View)  
Remark If you require an evaluation sample, please contact an NEC Sales  
Representative. (Unit sample quantity is 50 pcs.)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)  
6
1
5
2
4
Q
3
Q
1
PARAMETER  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
UNIT  
V
2
20  
12  
3
V
V
30  
mA  
mW  
Total Power Dissipation  
PT  
120 in 1 element  
PIN CONNECTIONS  
1. Collector (Q1)  
2. Base (Q2)  
160 in 2 elementsNote  
4. Emitter (Q2)  
5. Emitter (Q1)  
6. Base (Q1)  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
125  
˚C  
˚C  
3. Collector (Q2)  
Tstg  
–55 to +125  
Note 90 mW must not be exceeded in 1 element.  
The information in this document is subject to change without notice.  
Document No. P11466EJ1V0DS00 (1st edition)  
Date Published June 1996 P  
Printed in Japan  
1995  
©
12345678

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与UPA813TGB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UPA813T-GB NEC

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
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