Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> UPA812T-T1FB-A

UPA812T-T1FB-A

更新时间： 2024-02-08 11:39:10

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	52K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, PLASTIC, SO-6

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UPA812T-T1FB-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, SO-6	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.63	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.065 A
基于收集器的最大容量：	0.9 pF	集电极-发射极最大电压：	10 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	7000 MHz	Base Number Matches：	1

UPA812T-T1FB-A 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

µPA812T

HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

(WITH BUILT-IN 2 × 2SC4227) SMALL MINI MOLD

The µPA812T has built-in 2 low-voltage transistors which are designed to

PACKAGE DRAWINGS

amplify low noise in the VHF band to the UHF band.

(Unit: m m )

2.1±0.1

FEATURES

1.25±0.1

•

Low Noise

NF = 1.4 dB TYP. @ f = 1 GHz, V^CE= 3 V, IC = 7 mA

•

High Gain

|S^21e|²= 12 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA

A Small Mini Mold Package Adopted

Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4227)

•

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

QUANTITY

PACKING STYLE

µPA812T

Loose products

(50 PCS)

Embossed tape 8 mm wide. Pin 6 (Q1

Base), Pin 5 (Q1 Emitter), Pin 4 (Q2 Emitter)

face to perforation side of the tape.

µPA812T-T1

Taping products

(3 KPCS/Reel)

PIN CONFIGURATION (Top View)

Remark If you require an evaluation sample, please contact an NEC Sales

Representative. (Unit sample quantity is 50 pcs.)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)

PARAMETER

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

RATING

UNIT

1.5

PIN CONNECTIONS

1. Collector (Q1)

2. Base (Q2)

Total Power Dissipation

150 in 1 element

200 in 2 elements

4. Emitter (Q2)

5. Emitter (Q1)

6. Base (Q1)

Note

3. Collector (Q2)

Junction Temperature

Storage Temperature

150

˚C

Tstg

–65 to +150

Note 110 mW must not be exceeded in 1 element.

The inform ation in this docum ent is subject to change w ithout notice.

Document No. P11465EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published June 1996 P

Printed in Japan

1995

12 3 4 5 6

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与UPA812T-T1FB-A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA812T-T1GB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
UPA812T-T1GB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
UPA813	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC4570 SMALL MINI MOLD
UPA813T	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC4570 SMALL MINI MOLD
UPA813T-A	NEC	获取价格	暂无描述
UPA813TFB	NEC	获取价格	暂无描述
UPA813T-FB	NEC	获取价格	2 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-6
UPA813T-FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
UPA813TFB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
UPA813TGB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sili

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