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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | PLASTIC, SO-6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.26 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.035 A |
| 基于收集器的最大容量： | 0.7 pF | 集电极-发射极最大电压： | 10 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e6 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN BISMUTH | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 8000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UPA811T-T1FB | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sil |
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| UPA811T-T1FB | RENESAS |
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2 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SO-6 |
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| UPA811T-T1FB-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sil |
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| UPA811T-T1GB | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sil |
|
| UPA811T-T1GB-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sil |
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| UPA812 | NEC |
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HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC4 |
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| UPA812T | NEC |
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HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC4 |
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| UPA812T | CEL |
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NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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| UPA812T_09 | CEL |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH |
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| UPA812T_V1 | CEL |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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