Datasheet > UPA2728GR-E1-A

UPA2728GR-E1-A

更新时间： 2024-09-16 21:10:27

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		ISM频段开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	163K
描述
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, POWER SOP-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

UPA2728GR-E1-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	POWER SOP-8	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.68	雪崩能效等级（Eas）：	17 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	13 A	最大漏源导通电阻：	0.018 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3/e6	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	52 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN/TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UPA2728GR-E1-A 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

μPA2728GR

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

PACKAGE DRAWING (Unit: mm)

DESCRIPTION

The μ PA2728GR is N-channel MOS Field Effect Transistor

designed for DC/DC converter and power management

applications of notebook computer.

1, 2, 3 : Source

: Gate

5, 6, 7, 8: Drain

FEATURES

• Low on-state resistance

R^DS(on)1= 10.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 7.0 A)

RDS(on)2 = 18 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 7.0 A)

• Low gate to drain charge

6.0 ±0.3

4.4

5.37 MAX.

0.8

Q^GD= 3.5 nC TYP. (VDD = 15 V, ID = 13 A)

• Built-in gate protection diode

• Small and surface mount package (Power SOP8)

• RoHS Compliant

0.5 ±0.2

0.10

1.27 0.78 MAX.

+0.10

0.40

0.12 M

–0.05

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

LEAD PLATING

Sn-Bi

PACKING

PACKAGE

μ PA2728GR-E1-A ^Note

μ PA2728GR-E2-A ^Note

μ PA2728GR-E1-AT ^Note

μ PA2728GR-E2-AT ^Note

Power SOP8

0.08 g TYP.

Tape 2500 p/reel

Pure Sn

Note Pb-free (This product does not contain Pb in external electrode and other parts).

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C, All terminals are connected.)

EQUIVALENT CIRCUIT

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC)

VDSS

VGSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T1

Drain

Drain Current (pulse) ^Note1

Body

Diode

Gate

Total Power Dissipation ^Note2

Total Power Dissipation (PW = 10 sec) ^Note2

Channel Temperature

1.1

°C

P^T2

2.5

150

Gate

Protection

Diode

T^ch

Source

Storage Temperature

T^stg

−55 to +150

Single Avalanche Current ^Note3

Single Avalanche Energy ^Note3

I^AS

E^AS

Notes 1. PW ≤ 10 μs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Mounted on glass epoxy board of 1 inch²x 0.8 mm

3. Starting T^ch= 25°C, VDD = 15 V, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V, L = 100 μH

Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD. When

this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding the rated

voltage may be applied to this device.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. G18295EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published March 2007 NS CP(K)

Printed in Japan

2006, 2007

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与UPA2728GR-E1-A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA2728GR-E2-A	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
UPA2728GR-E2-AT	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
UPA2730	ETC	获取价格	UPA2730TP Data Sheet \| Data Sheet[11/2002]
UPA2730TP	NEC	获取价格	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET
UPA2730TP-AZ	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-
UPA2730TP-E1	RENESAS	获取价格	UPA2730TP-E1
UPA2730TP-E1-AY	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,42A I(D),SO
UPA2730TP-E1-AZ	RENESAS	获取价格	Switching N-Channel Power MOSFET, HSOP, /Embossed Tape
UPA2730TP-E2	RENESAS	获取价格	UPA2730TP-E2
UPA2730TP-E2-AY	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,42A I(D),SO

与UPA2728GR-E1-A相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

9
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

7
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

90
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

80

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UPA2728GR-E1-A

UPA2728GR-E1-A 技术参数

UPA2728GR-E1-A 数据手册

与UPA2728GR-E1-A相关器件

与UPA2728GR-E1-A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UPA2728GR-E1-A

UPA2728GR-E1-A 技术参数

UPA2728GR-E1-A 数据手册

与UPA2728GR-E1-A相关器件

与UPA2728GR-E1-A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？