Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> UPA2730TP-AZ

UPA2730TP-AZ

更新时间： 2024-09-16 13:15:11

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	82K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, POWER, HSOP-8

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UPA2730TP-AZ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.18
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	42 A	最大漏源导通电阻：	0.012 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	760 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e6
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UPA2730TP-AZ 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

µPA2730TP

SWITCHING

P-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

PACKAGE DRAWING (Unit: mm)

The µPA2730TP which has a heat spreader is P-Channel

MOS Field Effect Transistor designed for power management

applications of notebook computers and Li-ion battery

protection circuit.

1, 2, 3

5, 6, 7, 8, 9 ; Drain

; Source

; Gate

FEATURES

• Low on-state resistance

6.0 ±0.3

0.8 ±0.2

4.4 ±0.15

+0.17

–0.2

5.2

R^DS(on)1= 7.0 mΩ MAX. (V^GS= –10 V, I^D= –7.5 A)

R^DS(on)2= 10.5 mΩ MAX. (V^GS= –4.5 V, I^D= –7.5 A)

R^DS(on)3= 12.0 mΩ MAX. (V^GS= –4.0 V, I^D= –7.5 A)

• Low C^iss: C^iss= 4670 pF TYP.

0.10

1.27 TYP.

+0.10

–0.05

0.40

0.12 M

• Small and surface mount package (Power HSOP8)

2.0 ±0.2

ORDERING INFORMATION

4.1 MAX.

PART NUMBER

PACKAGE

µPA2730TP

Power HSOP8

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C, Unless otherwise noted, All terminals are connected.)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (DC) ^Note1

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)1

I^D(DC)2

I^D(pulse)

P^T1

−30

m20

m42

m20

m120

EQUIVALENT CIRCUIT

Drain Current (pulse) ^Note2

Drain

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C) ^Note1

Channel Temperature

°C

P^T2

Body

T^ch

150

Diode

Gate

Storage Temperature

Tstg

−55 to + 150

−15

Single Avalanche Current ^Note3

Single Avalanche Energy ^Note3

I^AS

E^AS

22.5

Source

Notes 1. Mounted on a glass epoxy board (1 inch x 1 inch x 0.8 mm), PW = 10 sec

2. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

3. Starting T^ch= 25°C, V^DD= –15 V, R^G= 25 Ω, L = 100 µH, V^GS= –20 → 0 V

Remark Strong electric field, when exposed to this device, can cause destruction of the gate oxide and ultimately

degrade the device operation. Steps must be taken to stop generation of static electricity as much as

possible, and quickly dissipate it once, when it has occurred.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with NEC Electronics sales

representative for availability and additional information.

Document No.

G15983EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published November 2002 NS CP(K)

Printed in Japan

2002

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA2730TP-E1	RENESAS	获取价格	UPA2730TP-E1
UPA2730TP-E1-AY	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,42A I(D),SO
UPA2730TP-E1-AZ	RENESAS	获取价格	Switching N-Channel Power MOSFET, HSOP, /Embossed Tape
UPA2730TP-E2	RENESAS	获取价格	UPA2730TP-E2
UPA2730TP-E2-AY	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,42A I(D),SO
UPA2730TP-E2-AZ	RENESAS	获取价格	Switching N-Channel Power MOSFET, HSOP, /Embossed Tape
UPA2731UT1A-E1-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 30V, 0.0064ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
UPA2731UT1A-E2-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 30V, 0.0064ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
UPA2732T1A-E1-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0067ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
UPA2732UT1A-E1-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0067ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me

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