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UPA1705G

更新时间： 2024-09-14 22:41:43
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日电电子 - NEC 开关
页数 文件大小 规格书
8页 61K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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UPA1705G 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.83配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：8 A
最大漏源导通电阻：0.04 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

UPA1705G 数据手册

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DATA SHEET  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
PA1705  
µ
SWITCHING  
N-CHANNEL POWER MOS FET  
INDUSTRIAL USE  
DESCRIPTION  
PACKAGE DRAWING (Unit : mm)  
This product is N-Channel MOS Field Effect Transistor  
designed for DC/DC Converters and power management  
application of notebook computers.  
8
5
1, 2, 3  
4
5, 6, 7, 8 ; Drain  
; Source  
; Gate  
FEATURES  
• Super low on-state resistance  
6.0 ±0.3  
4.4  
1
4
DS(on)1  
GS  
D
R
R
= 19.0 mΩ TYP. (V = 10 V, I = 4.0 A)  
5.37 Max.  
0.8  
DS(on)2  
GS  
D
= 30.0 mΩ TYP. (V = 4.5 V, I = 4.0 A)  
iss  
iss  
• Low C : C = 750 pF TYP.  
0.5 ±0.2  
• Built-in G-S protection diode  
0.10  
1.27 0.78 Max.  
+0.10  
–0.05  
• Small and surface mount package (Power SOP8)  
0.40  
0.12 M  
ORDERING INFORMATION  
PART NUMBER  
PACKAGE  
µPA1705G  
Power SOP8  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C, All terminals are connected.)  
GS  
DSS  
Drain to Source Voltage (V = 0)  
V
V
30  
±25  
±8  
V
V
DS  
GSS  
Gate to Source Voltage (V = 0)  
EQUIVALENT CIRCUIT  
D(DC)  
Drain Current (DC)  
I
A
Drain Current (Pulse) Note1  
D(pulse)  
I
±50  
2.0  
150  
A
Drain  
Note2  
A
Total Power Dissipation (T = 25 °C)  
T
P
W
°C  
Body  
Diode  
ch  
T
Channel Temperature  
Storage Temperature  
Gate  
stg  
T
–55 to + 150 °C  
Gate  
Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1 %  
2. Mounted on ceramic substrate of 1200 mm2 x 1.7 mm  
Protection  
Diode  
Source  
Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.  
When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage  
Exceeding the rated voltage may be applied to this device.  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for  
availability and additional information.  
Document No.  
G12712EJ1V0DS00 (1st edition)  
Date Published February 1999 NS CP(K)  
Printed in Japan  
1998, 1999  
©
12345678

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