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UPA1717G-A

更新时间： 2024-02-18 16:24:16

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瑞萨 - RENESAS		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	65K
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6A, 30V, 0.059ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOP-8

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UPA1717G-A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.37	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A
最大漏极电流 (ID)：	6 A	最大漏源导通电阻：	0.059 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	24 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UPA1717G-A 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

PA1717

SWITCHING

P-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

PACKAGE DRAWING (Unit : mm)

The µPA1717 is P-Channel MOS Field Effect

Transistor designed for power management

applications of notebook computers.

; Source

; Gate

1,2,3

; Drain

5,6,7,8

FEATURES

• Low on-state resistance

DS(on)1

= 33 mΩ MAX. (V = −10 V, I = −3 A)

6.0 ±0.3

DS(on)2

= 59 mΩ MAX. (V = −4.5 V, I = −3 A)

4.4

5.37 MAX.

0.8

iss

• Low C : C = 830 pF TYP.

• Built-in G-S protection diode

• Small and surface mount package (Power SOP8)

0.5 ±0.2

0.10

1.27 0.78 MAX.

ORDERING INFORMATION

+0.10

–0.05

0.40

0.12 M

PART NUMBER

PACKAGE

µPA1717G

Power SOP8

EQUIVALENT CIRCUIT

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C, All terminals are connected.)

DSS

Drain to Source Voltage (V = 0 V)

−30

# 25

# 6

Drain

GSS

Gate to Source Voltage (V = 0 V)

D(DC)

Drain Current (DC)

Body

Diode

Drain Current (pulse) ^Note1

D(pulse)

# 24

2.0

Gate

Note2

Total Power Dissipation (T = 25°C)

°C

Gate

Protection

Diode

Channel Temperature

Storage Temperature

150

Source

stg

–55 to +150 °C

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1 %

2. Mounted on ceramic substrate of 1200 mm²x 2.2 mm

Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.

When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage

exceeding the rated voltage may be applied to this device.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No.

Date Published June 2000 NS CP(K)

Printed in Japan

G14047EJ1V0DS00 (1st edition)

1999, 2000

12 3 4 5 6 7 8

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