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UPA1716G-A

更新时间： 2024-01-27 18:28:11

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瑞萨 - RENESAS		ISM频段开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	68K
描述
8A, 30V, 0.026ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWER, SOP-8

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UPA1716G-A 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.21	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	8 A
最大漏源导通电阻：	0.026 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e6
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	32 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UPA1716G-A 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

PA1716

SWITCHING

P-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

This product is P-Channel MOS Field Effect Transistor designed for DC/DC converters and power management

applications of notebook computers.

PACKAGE DRAWING (Unit : mm)

FEATURES

• Low on-resistance

DS(on)1

= 12.5 mΩ TYP. (V = –10 V, I = –4 A)

DS(on)2

DS(on)3

= 17.0 mΩ TYP. (V = –4.5 V, I = –4 A)

; Source

; Gate

1,2,3

= 19.0 mΩ TYP. (V = –4.0 V, I = –4 A)

; Drain

5,6,7,8

iss

• Low C : C = 2100 pF TYP.

• Built-in G-S protection diode

6.0 ±0.3

4.4

• Small and surface mount package (Power SOP8)

5.37 Max.

0.8

ORDERING INFORMATION

0.5 ±0.2

PART NUMBER

PACKAGE

0.10

1.27 0.78 Max.

µ PA1716G

Power SOP8

+0.10

–0.05

0.40

0.12 M

EQUIVARENT CIRCUIT

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C, All terminals are connected.)

Drain

DSS

Drain to Source Voltage (V = 0 V)

–30

GSS

Gate to Source Voltage (V = 0 V)

Body

Diode

D(DC)

Drain Current (DC)

Drain Current (pulse) ^Note1

Gate

D(pulse)

Note2

Total Power Dissipation (T = 25°C)

2.0

150

°C

Gate

Protection

Diode

Channel Temperature

Storage Temperature

Source

stg

–55 to +150

Notes 1. PW ≤ 10 µ s, Duty Cycle ≤ 1 %

2. Mounted on ceramic substrate of 1200 mm²x 1.0 mm

Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.

When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage

exceeding the rated voltage may be applied to this device.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No.

Date Published March 1999 NS CP(K)

Printed in Japan

G13727EJ1V0DS00 (1st edition)

1998, 1999

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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UPA1717G-E1	RENESAS	获取价格	UPA1717G-E1
UPA1717G-E2	RENESAS	获取价格	UPA1717G-E2
UPA1717G-E2-AT	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,6A I(D),SO
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