Datasheet > UPA1709G-AZ

UPA1709G-AZ

更新时间： 2024-02-25 04:06:18

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	67K
描述
9A, 40V, 0.02ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWER, SO-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

UPA1709G-AZ 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.21	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (ID)：	9 A	最大漏源导通电阻：	0.02 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	36 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UPA1709G-AZ 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

µPA1709

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

This product is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for DC/DC converters and power management

switch.

FEATURES

PACKAGE DRAWING (Unit : mm)

• Low on-resistance

R^DS(on)1= 9.3 mΩ (TYP.) (V^GS= 10 V, I^D= 4.5 A)

R^DS(on)2= 13.8 mΩ (TYP.) (V^GS= 4.5 V, I^D= 4.5 A)

• Low C^iss: C^iss= 1850 pF (TYP.)

• Built-in G-S protection diode

; Source

; Gate

; Drain

1,2,3

5,6,7,8

6.0 ±0.3

4.4

• Small and surface mount package (Power SOP8)

5.37 Max.

0.8

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

PACKAGE

0.5 ±0.2

0.10

1.27

0.78 Max.

µ PA1709G

Power SOP8

+0.10

–0.05

0.40

0.12 M

EQUIVARENT CIRCUIT

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C, All terminals are connected.)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC)

Drain Current (pulse) ^Note1

Total Power Dissipation (T^A= 25°C) ^Note2

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T

±25

Drain

±9.0

Body

Diode

±36

Gate

2.0

°C

Channel Temperature

T^ch

150

Gate

Protection

Diode

Storage Temperature

T^stg

–55 to + 150

Source

Notes 1. PW ≤ 10 µ s, Duty Cycle ≤ 1 %

2. Mounted on ceramic substrate of 1200 mm²x 0.7 mm

Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.

When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage

exceeding the rated voltage may be applied to this device.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No.

Date Published May 2001 NS CP(K)

Printed in Japan

G13436EJ2V0DS00 (2nd edition)

The mark ! shows major revised points.

1998

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与UPA1709G-AZ相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA1710	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| SO
UPA1710AG	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| SO
UPA1712	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| SO
UPA1715	NEC	获取价格	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
UPA1715G	NEC	获取价格	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
UPA1716	NEC	获取价格	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
UPA1716G	NEC	获取价格	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
UPA1716G-A	RENESAS	获取价格	8A, 30V, 0.026ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWER, SOP-8
UPA1717	NEC	获取价格	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
UPA1717G	NEC	获取价格	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UPA1709G-AZ

UPA1709G-AZ 技术参数

UPA1709G-AZ 数据手册

与UPA1709G-AZ相关器件

与UPA1709G-AZ相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UPA1709G-AZ

UPA1709G-AZ 技术参数

UPA1709G-AZ 数据手册

与UPA1709G-AZ相关器件

与UPA1709G-AZ相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？