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UPA1710AG

更新时间： 2024-02-29 18:48:52
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 82K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5A I(D) | SO

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UPA1710AG 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.84配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 A
最大漏极电流 (ID)：5 A最大漏源导通电阻：0.07 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

UPA1710AG 数据手册

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DATA SHEET  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
PA1710A  
µ
SWITCHING  
P-CHANNEL POWER MOS FET  
INDUSTRIAL USE  
DESCRIPTION  
This product is P-Channel MOS Field Effect Transistor designed for DC/DC converter and power management  
applications of notebook computers.  
PACKAGE DRAWING (Unit : mm)  
FEATURES  
• Low on-resistance  
DS(on)1  
8
5
GS  
D
R
R
= 70 mΩ (MAX.) (V = –10 V, I = –2.5 A)  
DS(on)2  
GS  
D
= 160 mΩ (MAX.) (V = –4 V, I = –2.0 A)  
; Source  
; Gate  
1,2,3  
4
iss  
iss  
• Low C : C = 840 pF (TYP.)  
; Drain  
5,6,7,8  
• Built-in G-S protection diode  
• Small and surface mount package (Power SOP8)  
6.0 ±0.3  
4.4  
1
4
5.37 Max.  
0.8  
ORDERING INFORMATION  
PART NUMBER  
PACKAGE  
0.5 ±0.2  
µ PA1710AG  
Power SOP8  
0.10  
1.27 0.78 Max.  
+0.10  
–0.05  
0.40  
0.12 M  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C, All terminals are connected.)  
EQUIVARENT CIRCUIT  
GS  
DSS  
Drain to Source Voltage (V = 0 V)  
V
V
–30  
±20  
V
V
Drain  
DS  
GSS  
Gate to Source Voltage (V = 0 V)  
D(DC)  
I
Drain Current (DC)  
±5.0  
A
Body  
Diode  
Drain Current (pulse) Note1  
D(pulse)  
I
±20  
A
Gate  
Note2  
A
Total Power Dissipation (T = 25°C)  
T
P
2.0  
W
°C  
°C  
ch  
T
Channel Temperature  
Storage Temperature  
150  
Gate  
Protection  
Diode  
Source  
stg  
T
–55 to + 150  
Notes 1. PW ≤ 10 µ s, Duty Cycle ≤ 1 %  
2. Mounted on ceramic substrate of 1200 mm2 x 1.1 mm  
Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.  
When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage  
exceeding the rated voltage may be applied to this device.  
Document No.  
G11497EJ1V1DS00 (1st edition)  
Date Published November 1998 NS CP(K)  
Printed in Japan  
1995  
©
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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