UPA1707G-A

更新时间： 2024-09-15 13:02:39

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日电电子 - NEC		开关
页数	文件大小	规格书
8页	60K
描述
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8

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UPA1707G-A 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.21	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	0.021 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e6
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UPA1707G-A 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

PA1707

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

PACKAGE DRAWING (Unit : mm)

This product is N-Channel MOS Field Effect

Transistor designed for DC/DC converters and power

management applications of notebook computers.

; Source

; Gate

1,2,3

; Drain

5,6,7,8

FEATURES

• Low on-resistance

DS(on)1

DS(on)2

DS(on)3

= 10.0 mΩ (TYP.) (V = 10 V, I = 5.0 A)

6.0 ±0.3

4.4

= 12.5 mΩ (TYP.) (V = 4.5 V, I = 5.0 A)

5.37 MAX.

0.8

= 14.0 mΩ (TYP.) (V = 4.0 V, I = 5.0 A)

iss

• Low C : C = 1400 pF (TYP.)

• Built-in G-S protection diode

0.5 ±0.2

0.10

1.27 0.78 MAX.

• Small and surface mount package (Power SOP8)

+0.10

–0.05

0.40

0.12 M

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

PACKAGE

µPA1707G

Power SOP8

EQUIVALENT CIRCUIT

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C, All terminals are connected.)

DSS

Drain to Source Voltage (V = 0 V)

Drain

GSS

Gate to Source Voltage (V = 0 V)

±20

±10

±40

2.0

D(DC)

Drain Current (DC)

Drain Current (pulse) ^Note1

Body

D(pulse)

Diode

Gate

Note2

Total Power Dissipation (T = 25°C)

°C

Gate

Channel Temperature

Storage Temperature

150

Protection

Diode

Source

stg

–55 to +150 °C

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1 %

2. Mounted on ceramic substrate of 1200 mm²x 1.7 mm

Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.

When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage

exceeding the rated voltage may be applied to this device.

The information in this document is subject to change without notice.

Document No.

G13084EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published January 1999 NS CP(K)

Printed in Japan

1998

12 3 4 5 6 7 8

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与UPA1707G-A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA1708	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
UPA1708G	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
UPA1708G-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 40V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
UPA1709	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
UPA1709G	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
UPA1709G-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 40V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
UPA1709G-AZ	RENESAS	获取价格	9A, 40V, 0.02ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWER, SO-8
UPA1710	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| SO
UPA1710AG	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| SO
UPA1712	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| SO

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