5秒后页面跳转
TSB10A PDF预览

TSB10A

更新时间: 2024-11-29 17:23:23
品牌 Logo 应用领域
SURGE 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 55K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA,

TSB10A 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-C2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.8
最大击穿电压:10.5 V最小击穿电压:9.5 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码:DO-214AA
JESD-30 代码:R-PDSO-C2最大非重复峰值反向功率耗散:600 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性:UNIDIRECTIONAL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子形式:C BEND
端子位置:DUALBase Number Matches:1

TSB10A 数据手册

  

与TSB10A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TSB10C SURGE

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA,
TSB11 ETC

获取价格

EURO TERMINAL BLOCKS
TSB110 SURGE

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA,
TSB110A SURGE

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA,
TSB110C SURGE

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA,
TSB1132 TSC

获取价格

Low Frequency PNP Transistor
TSB1132_1 TSC

获取价格

Low Vcesat PNP Transistor
TSB1132CY TSC

获取价格

Low Frequency PNP Transistor
TSB1132CYRM TSC

获取价格

Low Vcesat PNP Transistor
TSB1184 TSC

获取价格

Low Vce(sat) PNP Transistor