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TSB1132CYRM

更新时间： 2024-11-27 05:55:15
品牌 Logo 应用领域
TSC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 196K
描述
Low Vcesat PNP Transistor

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TSB1132CYRM 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：32 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：82
JESD-30 代码：R-PSSO-F3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

TSB1132CYRM 数据手册

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TSB1132  
Low Vcesat PNP Transistor  
SOT-89  
PRODUCT SUMMARY  
Pin Definition:  
1. Base  
2. Collector  
3. Emitter  
BVCBO  
BVCEO  
IC  
-40V  
-32V  
-1A  
VCE(SAT)  
-0.15V @ IC / IB = -0.5A / -50mA  
Features  
Ordering Information  
●
Low VCE(SAT) -0.15 @ IC / IB = --.5A / -50mA (Typ.)  
Excellent DC current gain characteristics  
Part No.  
Package  
SOT-89  
Packing  
●
TSB1132CY RM  
1Kpcs / 7” Reel  
Structure  
●
Epitaxial Planar Type  
PNP Silicon Transistor  
●
Absolute Maximum Rating (Ta = 25oC unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
-40  
-32  
V
-5  
V
DC  
-1  
Collector Current  
IC  
A
Pulse  
-2.5 (note1)  
0.6  
Collector Power Dissipation  
PD  
W
2 (note 2)  
+150  
Operating Junction Temperature  
TJ  
oC  
oC  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Note: 1. Single pulse, Pw=10ms, Duty≤50%  
TSTG  
- 55 to +150  
2. When mounted on a 40 x 40 x 0.7mm ceramic board.  
Electrical Specifications (Ta = 25oC unless otherwise noted)  
Parameter  
Conditions  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
Min  
Typ  
--  
Max  
--  
Unit  
Collector-Base Breakdown Voltage  
IC = -50uA, IE = 0  
-40  
-32  
-5  
V
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage IC = -1mA, IB = 0  
--  
--  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
IE = -50uA, IC = 0  
VCB = -20V, IE = 0  
VEB = -4V, IC = 0  
--  
--  
V
--  
--  
-0.5  
-0.5  
-0.5  
390  
uA  
uA  
V
Emitter Cutoff Current  
IEBO  
--  
--  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
DC Current Transfer Ratio  
IC / IB = -0.5A / -50mA  
VCE = -3V, IC = 100mA  
VCE =-5V, IC=-50mA,  
f=100MHz  
VCE(SAT)  
hFE  
--  
-0.15  
--  
82  
Transition Frequency  
Output Capacitance  
fT  
--  
--  
150  
20  
--  
MHz  
pF  
VCB = -10V, f=1MHz  
Cob  
30  
hFE values are classified as follows:  
Rank  
hFE  
Q
R
120~270  
180~390  
1/1  
Version: A08  
1234

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