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TSB1184CPRO

更新时间： 2024-09-15 06:02:35
品牌 Logo 应用领域
TSC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 312K
描述
Low Vcesat PNP Transistor

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TSB1184CPRO 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：80 MHz
Base Number Matches：1

TSB1184CPRO 数据手册

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TSB1184  
Low Vcesat PNP Transistor  
TO-252  
(DPAK)  
Pin Definition:  
1. Base  
2. Collector  
3. Emitter  
PRODUCT SUMMARY  
BVCBO  
BVCEO  
IC  
-40V  
-30V  
-3A  
VCE(SAT)  
-0.3V @ IC / IB = -2A / -100mA  
Features  
Ordering Information  
●
Low VCE(SAT) -0.3V @ IC / IB = -2A / -100mA (Typ.)  
Excellent DC current gain characteristics  
Part No.  
Package  
TO-252  
Packing  
●
TSB1184CP RO  
2.5Kpcs / 13” Reel  
Structure  
●
Epitaxial Planar Type  
PNP Silicon Transistor  
●
Absolute Maximum Rating (Ta = 25oC unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
-40  
-30  
V
-6  
V
DC  
-3  
-7 (note)  
1
Collector Current  
IC  
A
Pulse  
Ta=25ºC  
Tc=25ºC  
Collector Power Dissipation  
PD  
W
5
Operating Junction Temperature  
TJ  
+150  
oC  
oC  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Note: Single pulse, Pw=10ms  
TSTG  
- 55 to +150  
Electrical Specifications (Ta = 25oC unless otherwise noted)  
Parameter  
Conditions  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
Min  
Typ  
--  
Max  
--  
Unit  
Collector-Base Breakdown Voltage  
IC = -50uA, IE = 0  
-40  
-30  
-6  
V
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage IC = -1mA, IB = 0  
--  
--  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
IE = -50uA, IC = 0  
VCB = -40V, IE = 0  
VEB = -4V, IC = 0  
--  
--  
V
--  
--  
-1  
uA  
uA  
V
Emitter Cutoff Current  
IEBO  
--  
--  
-1  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
DC Current Transfer Ratio  
IC / IB = -2A / -200mA  
VCE = -2V, IC = -100mA  
VCE =-5V, IC=-100mA,  
f=30MHz  
*VCE(SAT)  
*hFE  
--  
-0.3  
--  
-0.5  
560  
120  
Transition Frequency  
fT  
--  
--  
80  
55  
--  
--  
MHz  
pF  
Output Capacitance  
VCB = -10V, f=1MHz  
Cob  
* Pulse Test: Pulse Width ≤380uS, Duty Cycle≤2%  
1/4  
Version: A08  
1234

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与TSB1184CPRO相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TSB1184CPS TSC

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 		Low Vce(sat) PNP Transistor
TSB11C SURGE

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA,
TSB11C01DL TI

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 		IEEE 1394-1995, 5V, 3-Port, 100Mbps Physical Layer Controller 56-SSOP
TSB11C01DL ROCHESTER

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA,
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