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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PDSO-C2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.84 |
| 最大击穿电压： | 121 V | 最小击穿电压： | 99 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JEDEC-95代码： | DO-214AA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-C2 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 600 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE | 端子形式： | C BEND |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TSB110A | SURGE |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, |
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| TSB110C | SURGE |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, |
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| TSB1132 | TSC |
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Low Frequency PNP Transistor |
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| TSB1132_1 | TSC |
获取价格 |
Low Vcesat PNP Transistor |
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| TSB1132CY | TSC |
获取价格 |
Low Frequency PNP Transistor |
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| TSB1132CYRM | TSC |
获取价格 |
Low Vcesat PNP Transistor |
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| TSB1184 | TSC |
获取价格 |
Low Vce(sat) PNP Transistor |
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| TSB1184_1 | TSC |
获取价格 |
Low Vcesat PNP Transistor |
|
| TSB1184A | TSC |
获取价格 |
Low Vce(sat) PNP Transistor |
|
| TSB1184A_1 | TSC |
获取价格 |
Low Vcesat PNP Transistor |
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