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TPIC5203

更新时间： 2024-11-06 11:58:39
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
13页 261K
描述
2-CHANNEL INDEPENDENT GATE-PROTECTED POWER DMOS ARRAY

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TPIC5203 数据手册

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SLIS040 − SEPTEMBER 1994  
• Low r  
. . . 0.26 Ω Typ  
D PACKAGE  
(TOP VIEW)  
DS(on)  
• High Voltage Output . . . 60 V  
• Extended ESD Capability . . . 4000 V  
• Pulsed Current . . . 8 A Per Channel  
• Fast Commutation Speed  
GND  
SOURCE1  
GATE2  
DRAIN1  
GATE1  
SOURCE2  
NC  
1
2
3
4
8
7
6
5
DRAIN2  
description  
NC − No internal connection  
The TPIC5203 is a monolithic gate-protected  
power DMOS array that consists of two  
independent electrically isolated N-channel enhancement-mode DMOS transistors. Each transistor features  
integrated high-current zener diodes (Z and Z ) to prevent gate damage in the event that an overstress  
CXa  
CXb  
condition occurs. These zener diodes also provide up to 4000 V of ESD protection when tested using the  
human-body model of a 100-pF capacitor in series with a 1.5-kΩ resistor.  
The TPIC5203 is offered in a standard eight-pin small-outline surface-mount (D) package and is characterized  
for operation over the case temperature range of −40°C to 125°C.  
schematic  
DRAIN1  
8
DRAIN2  
4
GATE2  
3
Q1  
Q2  
D1  
D2  
Z1  
Z2  
7
GATE1  
Z
Z
Z
C1b  
C2b  
Z
C1a  
C2a  
2
1
6
SOURCE1  
GND  
SOURCE2  
NOTE: For correct operation, no terminal pin may be taken below GND.  
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Copyright 1994, Texas Instruments Incorporated  
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2−1  
POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265  
POST OFFICE BOX 1443 • HOUSTON, TEXAS 77251−1443  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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