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TPIC5401DWR PDF预览

TPIC5401DWR

更新时间： 2024-11-29 20:08:31
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 284K
描述
1.7A, 60V, 0.35ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-013AC, MS-013, 20 PIN

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TPIC5401DWR 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：MS-013, 20 PIN针数：20
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84其他特性：ESD PROTECTED
雪崩能效等级（Eas）：21 mJ配置：COMPLEX
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：1.7 A
最大漏源导通电阻：0.35 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：125 pFJEDEC-95代码：MS-013AC
JESD-30 代码：R-PDSO-G20元件数量：4
端子数量：20工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：1.389 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：130 ns
最大开启时间（吨）：95 nsBase Number Matches：1

TPIC5401DWR 数据手册

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TPIC5401  
H-BRIDGE GATE-PROTECTED  
POWER DMOS ARRAY  
SLIS024A – DECEMBER 1993 – REVISED MARCH 1994  
Low r  
. . . 0.3 Ω Typ  
Pulsed Current . . . 10 A Per Channel  
Fast Commutation Speed  
DS(on)  
High Voltage Output . . . 60 V  
Extended ESD Capability . . . 4000 V  
description  
The TPIC5401 is a monolithic gate-protected power DMOS array that consists of four N-channel  
enhancement-mode DMOS transistors, two of which are configured with a common source. Each transistor  
features integrated high-current zener diodes (Z  
overstress condition occurs. These zener diodes also provide up to 4000 V of ESD protection when tested using  
and Z  
) to prevent gate damage in the event that an  
CXa  
CXb  
the human-body model of a 100-pF capacitor in series with a 1.5-kΩ resistor.  
The TPIC5401 is offered in a 16-pin thermally enhanced dual-in-line (NE) package and a 20-pin wide-body  
surface-mount (DW) package and is characterized for operation over the case temperature range of –40°C to  
125°C.  
NE PACKAGE  
(TOP VIEW)  
DW PACKAGE  
(TOP VIEW)  
SOURCE1  
DRAIN1  
GATE1  
DRAIN2  
SOURCE2/GND  
GATE2  
GND  
SOURCE4/GND  
GATE4  
SOURCE2/GND  
GATE2  
NC  
1
2
3
4
5
6
7
8
16  
15  
14  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
20  
19  
18  
17  
16  
13 GND  
12 GND  
GND  
NC  
NC  
GND  
DRAIN4  
SOURCE3  
DRAIN3  
GATE3  
DRAIN2  
11  
10  
9
GATE3  
GATE4  
15 SOURCE1  
DRAIN3  
SOURCE3  
14  
13  
12  
11  
SOURCE4/GND  
DRAIN4  
DRAIN1  
GATE1  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC – No internal connection  
schematic  
DRAIN1  
DRAIN3  
Q1  
Q3  
Z1  
D1  
D2  
Z3  
GATE3  
GATE1  
Z
Z
Z
C3b  
C1b  
Z
SOURCE1  
DRAIN2  
C1a  
C3a  
SOURCE3  
DRAIN4  
Q2  
Q4  
GATE4  
GATE2  
Z
Z2  
Z4  
Z
Z
C4b  
C2b  
Z
C2a  
C4a  
GND, SOURCE2, SOURCE4  
NOTE: For correct operation, no terminal pin may be taken below GND.  
Copyright 1994, Texas Instruments Incorporated  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments  
standard warranty. Production processing does not necessarily include  
testing of all parameters.  
1
POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265  
1234567...15

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