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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> TPIC5423LDWR
TPIC5423LDWR PDF预览

TPIC5423LDWR

更新时间： 2024-11-30 12:59:51
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
11页 200K
描述
1.25A, 60V, 0.375ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-013AD, PLASTIC, SOIC-24

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TPIC5423LDWR 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：PLASTIC, SOIC-24
针数：24Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.92
Is Samacsys：N其他特性：ESD PROTECTED
雪崩能效等级（Eas）：96 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：1.25 A最大漏源导通电阻：0.375 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：75 pF
JEDEC-95代码：MS-013ADJESD-30 代码：R-PDSO-G24
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：4端子数量：24
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：220
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：1.39 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：4 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：70 ns
最大开启时间（吨）：125 nsBase Number Matches：1

TPIC5423LDWR 数据手册

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TPIC5423L  
4-CHANNEL INDEPENDENT GATE-PROTECTED LOGIC-LEVEL  
POWER DMOS ARRAY  
SLIS045 – NOVEMBER 1994  
• Low r  
• Voltage Output . . . 60 V  
. . . 0.32 Ω Typ  
DW PACKAGE  
(TOP VIEW)  
DS(on)  
• Input Protection Circuitry . . . 18 V  
• Pulsed Current . . . 4 A Per Channel  
• Extended ESD Capability . . . 4000 V  
• Direct Logic-Level Interface  
DRAIN1  
DRAIN1  
GATE1  
DRAIN3  
DRAIN3  
GATE3  
1
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
14  
2
3
GND  
GND  
4
SOURCE1  
SOURCE1  
SOURCE2  
SOURCE2  
GND  
SOURCE3  
SOURCE3  
SOURCE4  
SOURCE4  
GND  
5
6
description  
7
The TPIC5423L is a monolithic gate-protected  
logic-level power DMOS array that consists of four  
electrically isolated independent N-channel  
enhancement-mode DMOS transistors. Each  
transistor features integrated high-current zener  
8
9
GATE2  
GATE4  
10  
11  
DRAIN2  
DRAIN4  
DRAIN2 12  
13 DRAIN4  
diodes (Z  
and Z  
) to prevent gate damage  
CXa  
CXb  
in the event that an overstress condition occurs.  
These zener diodes also provide up to 4000 V of  
ESD protection when tested using the human-  
body model of a 100-pF capacitor in series with a  
1.5-kΩ resistor.  
The TPIC5423L is offered in a 24-pin wide-body surface-mount (DW) package and is characterized for  
operation over the case temperature of –40°C to 125°C.  
schematic  
1, 2  
3
23, 24  
22  
DRAIN1  
GATE1  
DRAIN3  
GATE3  
Q1  
Q3  
D1  
D3  
Z3  
Z1  
Z
Z
C1b  
Z
Z
C3b  
C1a  
C3a  
19, 20  
13, 14  
5, 6  
SOURCE3  
DRAIN4  
SOURCE1  
DRAIN2  
11, 12  
Q2  
Z
Q4  
10  
15  
GATE4  
GATE2  
D2  
D4  
Z2  
Z4  
Z
C4b  
C2b  
Z
C4a  
Z
C2a  
7, 8  
17, 18  
SOURCE2  
SOURCE4  
4, 9, 16, 21  
GND  
NOTE A: For correct operation, no terminal may be taken below GND.  
Copyright 1994, Texas Instruments Incorporated  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments  
standard warranty. Production processing does not necessarily include  
testing of all parameters.  
2–1  
POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265  
1234567...11

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