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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> TPIC5601
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TPIC5601

更新时间： 2024-11-30 12:22:35
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德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
13页 228K
描述
3-PHASE BRIDGE POWER DMOS ARRAY

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TPIC5601 数据手册

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SLIS022B − MARCH 1994 − REVISED OCTOBER 1995  
• Low r  
. . . 0.3 Ω Typ  
DW PACKAGE  
(TOP VIEW)  
DS(on)  
• High-Voltage Output . . . 60 V  
• Pulsed Current . . . 8 A Per Channel  
• Fast Commutation Speed  
DRAIN4  
GATE4  
GND  
SOURCE1  
NC  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
20  
19  
18  
17  
16  
GATE1  
DRAIN1  
DRAIN2  
description  
GND  
DRAIN5  
GATE5  
GND  
The TPIC5601 is a monolithic power DMOS array  
that consists of six electrically isolated N-channel  
enhancement-mode DMOS transistors, three of  
which are configured with a common source. The  
TPIC5601 is offered in a 20-pin wide-body  
surface-mount (DW) package.  
15 SOURCE2  
14  
13  
12  
11  
GATE2  
GND  
DRAIN3  
GATE3  
GATE6  
DRAIN6  
SOURCE3  
The TPIC5601 is characterized for operation over  
the case temperature range of −40°C to 125°C.  
NC − No internal connection  
schematic  
SOURCE2 GATE2 DRAIN2  
15 14 16  
17  
13  
DRAIN1  
GATE1  
DRAIN3  
GATE3  
Q1  
Q3  
Q2  
Z1  
D1  
Z2  
D2  
D3  
Z3  
12  
18  
20  
1
11  
10  
SOURCE1  
DRAIN4  
SOURCE3  
DRAIN6  
Q4  
Q5  
Q6  
2
9
GATE6  
GATE4  
Z4  
Z5  
Z6  
5
DRAIN5  
GATE5  
3, 4, 7, 8  
GND  
6
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Copyright 1995, Texas Instruments Incorporated  
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1
POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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