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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | PLASTIC, SOIC-20 | 针数： | 20 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 36 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | COMPLEX | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.7 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1.7 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.35 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 50 pF | JEDEC-95代码： | MS-013AC |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G20 | 元件数量： | 6 |
| 端子数量： | 20 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 1.125 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.39 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 8 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 130 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 95 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TPIC5601DWR | TI |
获取价格 |
1.7A, 60V, 0.35ohm, 6 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-013AC, PLASTIC, SOIC-20 |
|
| TPIC5621L | TI |
获取价格 |
SIX-OUTPUT POWER DMOS ARRAY |
|
| TPIC5621LDW | TI |
获取价格 |
SIX-OUTPUT POWER DMOS ARRAY |
|
| TPIC5621LDWR | TI |
获取价格 |
1A, 60V, 0.48ohm, 6 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-013AC, PLASTIC, SOIC-20 |
|
| TPIC6259 | TI |
获取价格 |
POWER LOGIC 8-BIT ADDRESSABLE LATCH |
|
| TPIC6259DW | TI |
获取价格 |
POWER LOGIC 8-BIT ADDRESSABLE LATCH |
|
| TPIC6259DWG4 | TI |
获取价格 |
250mA/通道 8 位可寻址锁存器 | DW | 20 |
|
| TPIC6259DWR | TI |
获取价格 |
250mA/通道 8 位可寻址锁存器 | DW | 20 | -40 to 125 |
|
| TPIC6259DWRG4 | TI |
获取价格 |
250mA/通道 8 位可寻址锁存器 | DW | 20 |
|
| TPIC6259N | TI |
获取价格 |
POWER LOGIC 8-BIT ADDRESSABLE LATCH |
|
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