是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | PLASTIC, SOIC-20 | 针数: | 20 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 5.89 |
其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级(Eas): | 180 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | COMPLEX |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 1 A |
最大漏极电流 (ID): | 1 A | 最大漏源导通电阻: | 0.48 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 125 pF |
JEDEC-95代码: | MS-013AC | JESD-30 代码: | R-PDSO-G20 |
元件数量: | 4 | 端子数量: | 20 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 1.389 W |
最大功率耗散 (Abs): | 1.4 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 3 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 132 ns | 最大开启时间(吨): | 110 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TPIC5424LDWR | TI |
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1A, 60V, 0.48ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-013AC, PLASTIC, SOIC-20 | |
TPIC5424LNE | TI |
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H-bridge Driver 16-PDIP | |
TPIC5601 | TI |
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3-PHASE BRIDGE POWER DMOS ARRAY | |
TPIC5601DW | TI |
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3-PHASE BRIDGE POWER DMOS ARRAY | |
TPIC5601DWR | TI |
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1.7A, 60V, 0.35ohm, 6 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-013AC, PLASTIC, SOIC-20 | |
TPIC5621L | TI |
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SIX-OUTPUT POWER DMOS ARRAY | |
TPIC5621LDW | TI |
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SIX-OUTPUT POWER DMOS ARRAY | |
TPIC5621LDWR | TI |
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1A, 60V, 0.48ohm, 6 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-013AC, PLASTIC, SOIC-20 | |
TPIC6259 | TI |
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POWER LOGIC 8-BIT ADDRESSABLE LATCH | |
TPIC6259DW | TI |
获取价格 |
POWER LOGIC 8-BIT ADDRESSABLE LATCH |