是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | PLASTIC, DIP-16 | 针数: | 16 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.9 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 21 mJ | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | COMPLEX | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 2 A | 最大漏极电流 (ID): | 2 A |
最大漏源导通电阻: | 0.35 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 125 pF | JEDEC-95代码: | MS-001 |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T16 | 元件数量: | 4 |
端子数量: | 16 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 2.075 W | 最大功率耗散 (Abs): | 2.08 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 10 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 最大关闭时间(toff): | 130 ns |
最大开启时间(吨): | 95 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TPIC5421L | TI |
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H-BRIDGE GATE-PROTECTED LOGIC-LEVEL POWER DMOS ARRAY | |
TPIC5421LDW | TI |
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H-bridge Driver 20-SOIC | |
TPIC5421LDWR | TI |
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暂无描述 | |
TPIC5421LNE | TI |
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暂无描述 | |
TPIC5423L | TI |
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4-CHANNEL INDEPENDENT GATE-PROTECTED LOGIC-LEVEL POWER DMOS ARRAY | |
TPIC5423LDW | TI |
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4-CHANNEL INDEPENDENT GATE-PROTECTED LOGIC-LEVEL POWER DMOS ARRAY | |
TPIC5423LDWR | TI |
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1.25A, 60V, 0.375ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-013AD, PLASTIC, SOIC-24 | |
TPIC5424L | TI |
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H-BRIDGE LOGIC-LEVEL POWER DMOS ARRAY | |
TPIC5424LDW | TI |
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H-bridge Driver 20-SOIC | |
TPIC5424LDWR | TI |
获取价格 |
1A, 60V, 0.48ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-013AC, PLASTIC, SOIC-20 |