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TPIC5303DR

更新时间： 2024-11-30 13:14:51
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德州仪器 - TI /
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14页 264K
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TPIC5303DR 数据手册

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SLIS039A − SEPTEMBER 1994 − REVISED SEPTEMBER 1995  
• Low r  
. . . 0.4 Ω Typ  
D PACKAGE  
(TOP VIEW)  
DS(on)  
• High Voltage Output . . . 60 V  
• Extended ESD Capability . . . 4000 V  
• Pulsed Current . . . 5 A Per Channel  
• Fast Commutation Speed  
GATE1  
DRAIN2  
DRAIN2  
SOURCE2  
SOURCE2  
GATE2  
1
2
3
4
5
6
7
8
16  
15  
14  
SOURCE1  
SOURCE1  
13 DRAIN1  
12 DRAIN1  
11  
10  
9
description  
SOURCE3  
SOURCE3  
GATE3  
DRAIN3  
DRAIN3  
GND  
The TPIC5303 is a monolithic gate-protected  
power DMOS array that consists of three  
independent electrically isolated N-channel  
enhancement-mode DMOS transistors. Each  
transistor features integrated high-current zener  
diodes (Z  
and Z  
) to prevent gate damage in the event that an overstress condition occurs. These zener  
CXa  
CXb  
diodes also provide up to 4000 V of ESD protection when tested using the human-body model of a 100-pF  
capacitor in series with a 1.5-kΩ resistor.  
The TPIC5303 is offered in a standard 16-pin small-outline surface-mount (D) package and is characterized for  
operation over the case temperature range of −40°C to 125°C.  
schematic  
DRAIN1  
12, 13  
GATE2  
5
DRAIN2  
1, 2  
GATE3  
9
DRAIN3  
6, 7  
Q1  
Q2  
Q3  
D1  
D2  
D3  
Z1  
Z2  
16  
Z3  
GATE1  
Z
Z
Z
C2b  
Z
C3b  
C1b  
Z
C1a  
Z
C3a  
C2a  
14, 15  
SOURCE1  
8
GND  
3, 4  
SOURCE2  
10, 11  
SOURCE3  
NOTE A: For correct operation, no terminal pin may be taken below GND.  
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Copyright 1995, Texas Instruments Incorporated  
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