Datasheet > TPCP8102(TE85L,F)

TPCP8102(TE85L,F)

更新时间： 2024-01-29 07:24:09

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		/
页数	文件大小	规格书
7页	175K
描述
MOSFET P-CH 20V 7.3A PS-8

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TPCP8102(TE85L,F) 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.54	Base Number Matches：	1

TPCP8102(TE85L,F) 数据手册

浏览型号TPCP8102(TE85L,F)的Datasheet PDF文件第1页

浏览型号TPCP8102(TE85L,F)的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号TPCP8102(TE85L,F)的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号TPCP8102(TE85L,F)的Datasheet PDF文件第5页

TPCP8102

– V

I – V

D DS

−5

−10

−1.7

−1.8

−2

−3

−1.6

−1.8

−1.9

−2

Common source

Ta = 25°C

Pulse test

Common source

Ta = 25°C

Pulse test

−4

−3

−2

−1

−8

−6

−4

−2

−3

−5

−1.5

−1.6

−1.5

−1.4

= −1.3 V

−0.2

−0.4

−0.6

−0.8

−1.0

−0.4

−0.8

−1.2

−1.6

−2.0

Drain−source voltage

(V)

Drain−source voltage

(V)

– V

DS GS

−12

−10

−8

−6

−4

−2

−0.5

−0.4

Common source

Ta = 25°C

Pulse test

Common source

= −10 V

Pulse test

−0.3

100

−0.2

−0.1

= −7.2A

−3.6

Ta = −55°C

−2

−1.8

−1

−3

−4

−8

−12

−16

−20

Gate−source voltage

(V)

Gate−source voltage

(V)

|Y | – I

– I

DS (ON) D

100

Common source

= −10 V

Pulse test

= −2 V

100

Ta = −55°C

−2.5

−4.5

Common source

Ta = 25°C

0.1

−0.1

Pulse test

−1

−10

−100

−0.1

−1

−10

−100

Drain current

(A)

Drain current

(A)

2006-11-17

1 2 345 6 7

下载PDF

与TPCP8102(TE85L,F)相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
TPCP8103-H	TOSHIBA	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (Ultra High speed U-MOSIII)	获取价格
TPCP8103-H(TE85L,F)	TOSHIBA	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,40V V(BR)DSS,4.8A I(D),TSOP	获取价格
TPCP8103-H_09	TOSHIBA	High Efficiency DC-DC Converter Applications Notebook PC Applications Portable Equipment A	获取价格
TPCP8105	TOSHIBA	TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal	获取价格
TPCP8105(TE85L,F)	TOSHIBA	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,7.2A I(D),FP	获取价格
TPCP8106	TOSHIBA	Lithium-Ion Secondary Batteries Power Management Switches Notebook PCs	获取价格