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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> TPCA8022-H
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TPCA8022-H

更新时间： 2024-11-21 03:26:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 211K
描述
Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOSIII)

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TPCA8022-H 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：THIN, 2-5Q1A, 8 PIN
针数：8Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.32Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：197 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：22 A最大漏源导通电阻：0.026 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F5
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：66 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TPCA8022-H 数据手册

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TPCA8022-H  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOSIII)  
TPCA8022-H  
Switching Regulator Applications  
Unit: mm  
Motor Drive Applications  
0.4±0.1  
1.27  
0.05  
M A  
5
8
DC/DC Converter Applications  
0.15±0.05  
•
•
•
Small footprint due to a small and thin package  
High speed switching  
4
0.595  
A
1
Low drain-source ON-resistance  
R
= 17 mΩ (typ.) (V =10V, I =11A)  
GS D  
:
DS (ON)  
5.0±0.2  
•
•
•
High forward transfer admittance: |Y | = 46 S (typ.)  
fs  
Low leakage current: I  
= 10 μA (max) (V  
= 100 V)  
DSS  
DS  
0.05  
S
S
Enhancement mode: V = 2.0 to 4.0 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
1
4
th  
DS  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
4.25±0.2  
Characteristic  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
8
5
0.8±0.1  
1,2,3：SOURCE  
5,6,7,8：DRAIN  
4：GATE  
V
100  
100  
±20  
22  
V
V
V
DSS  
V
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
JEDEC  
―
―
DGR  
GS  
V
GSS  
JEITA  
DC  
(Note 1)  
I
D
TOSHIBA  
2-5Q1A  
Drain current  
A
Pulsed (Note 1)  
I
66  
DP  
Weight: 0.069 g (typ.)  
Drain power dissipation  
Drain power dissipation  
(Tc=25℃)  
(t = 10 s)  
(Note 2a)  
(t = 10 s)  
(Note 2b)  
P
45  
W
W
D
D
P
2.8  
1.6  
Circuit Configuration  
Drain power dissipation  
P
W
D
8
7
6
5
Single-pulse avalanche energy  
(Note 3)  
E
197  
22  
mJ  
A
AS  
Avalanche current  
I
AR  
Repetitive avalanche energy  
E
3.8  
mJ  
AR  
(Note 2a) (Note 4)  
T
T
150  
°C  
°C  
1
2
3
4
Channel temperature  
ch  
−55 to 150  
Storage temperature range  
stg  
Note: For Notes 1 to 4, refer to the next page.  
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate  
reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/Derating Concept and  
Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.  
1
2007-02-09  
1234567

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