TPCA8024

更新时间： 2024-11-25 08:40:07

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东芝 - TOSHIBA		晶体电池晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管电脑便携式便携式设备 PC
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TPCA8024 技术参数

生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-F5
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.35
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	159 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	35 A
最大漏源导通电阻：	0.0078 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-PDSO-F5	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	105 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TPCA8024 数据手册

TPCA8024

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSⅣ)

TPCA8024

Lithium-Ion Battery Applications

Unit: mm

Notebook PC Applications

0.4 ± 0.1

1.27

Portable Equipment Applications

0.05 M A

0.15 ± 0.05

•

Small footprint due to a small and thin package

Low drain-source ON-resistance: R = 3.5 mΩ (typ.)

DS (ON)

0.595

High forward transfer admittance: |Y | = 72 S (typ.)

Low leakage current: I

= 10 μA (max) (V

= 30 V)

DSS

Enhancement mode: V = 1.3 to 2.5 V (V

= 10 V, I = 1 mA)

5.0 ± 0.2

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

0.05 S

Characteristics

Drain-source voltage

Symbol

Rating

Unit

DSS

Drain-gate voltage (R

Gate-source voltage

= 20 kΩ)

DGR

4.25 ± 0.2

±20

GSS

(Note 1)

Drain current

Pulse (Note 1)

105

1,2,3: SOURCE

5,6,7,8: DRAIN

4: GATE

Drain power dissipation

(Tc=25℃)

(t = 10 s)

(Note 2a)

(t = 10 s)

(Note 2b)

2.8

1.6

JEDEC

―

Drain power dissipation

JEITA

TOSHIBA

2-5Q1A

Single pulse avalanche energy

(Note 3)

159

Weight: 0.069 g (typ.)

Avalanche current

Repetitive avalanche energy

3.5

Circuit Configuration

(Tc=25℃) (Note 4)

150

°C

Channel temperature

-55 to 150

Storage temperature range

stg

Note: For Note 1 to 4, refer to the next page.

Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high

temperature/current/voltage and the significant change in temperature,

etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage,

etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the

appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor

Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability

test report and estimated failure rate, etc).

This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.

2010-01-05

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