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TPCA8027-H

更新时间： 2024-11-21 14:45:15
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 201K
描述
TRANSISTOR 30 A, 40 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, THIN, 2-5Q1A, 8 PIN, FET General Purpose Power

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TPCA8027-H 技术参数

生命周期：Lifetime Buy包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.38
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：84 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：30 A
最大漏源导通电阻：0.01 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F5元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：90 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TPCA8027-H 数据手册

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TPCA8027-H  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOSⅢ)  
TPCA8027-H  
Switching Regulator Applications  
Motor Drive Applications  
Unit: mm  
0.4±0.1  
1.27  
0.5±0.1  
0.05  
M A  
•
•
•
•
•
•
•
Small footprint due to a small and thin package  
High-speed switching  
5
8
Small gate charge: Q  
= 8.1 nC (typ.)  
SW  
0.15±0.05  
Low drain-source ON-resistance: R  
= 8.0 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 44 S (typ.)  
fs  
4
0.595  
A
1
Low leakage current: I  
= 10 μA (max) (V  
= 40 V)  
DSS  
DS  
5.0±0.2  
Enhancement mode: V = 2.0 to 4.0 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
th  
DS  
0.95±0.05  
0.166±0.05  
0.05  
S
S
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
1.1±0.2  
1
4
Characteristic  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
4.25±0.2  
V
40  
40  
V
V
V
DSS  
V
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
DGR  
GS  
8
5
1,2,3:SOURCE  
5,6,7,8:DRAIN  
4:0G.8A±0T.1E  
V
±20  
30  
GSS  
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
Pulsed (Note 1)  
I
90  
DP  
JEDEC  
―
―
Drain power dissipation  
Drain power dissipation  
(Tc=25℃)  
(t = 10 s)  
(Note 2a)  
(t = 10 s)  
(Note 2b)  
P
45  
W
W
D
D
JEITA  
P
2.8  
1.6  
TOSHIBA  
2-5Q1A  
Weight: 0.080 g (typ.)  
Drain power dissipation  
P
W
D
Single-pulse avalanche energy  
(Note 3)  
E
84  
30  
mJ  
A
AS  
Circuit Configuration  
8
7
6
5
Avalanche current  
I
AR  
Repetitive avalanche energy  
E
4.5  
mJ  
AR  
(Tc = 25℃) (Note 4)  
T
T
150  
°C  
°C  
Channel temperature  
ch  
−55 to 150  
Storage temperature range  
stg  
Note: For Notes 1 to 4, refer to the next page.  
1
2
3
4
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings. Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability  
Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report  
and estimated failure rate, etc).  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.  
1
2008-06-26  
1234567

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