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TPCA8021-H

更新时间： 2024-11-21 06:01:51
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东芝 - TOSHIBA 转换器
页数 文件大小 规格书
7页 299K
描述
High Efficiency DC／DC Converter Applications

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TPCA8021-H 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.83
雪崩能效等级（Eas）：95 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：27 A
最大漏极电流 (ID)：27 A最大漏源导通电阻：0.013 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F8
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：81 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TPCA8021-H 数据手册

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TPCA8021-H  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOSIII)  
TPCA8021-H  
High Efficiency DC／DC Converter Applications  
Unit: mm  
Notebook PC Applications  
0.4±0.1  
1.27  
0.5±0.1  
Portable Equipment Applications  
0.05  
M A  
5
8
•
•
•
•
•
•
•
Small footprint due to a small and thin package  
High speed switching  
0.15±0.05  
Small gate charge: Q  
SW  
= 6.9nC (typ.)  
4
0.595  
A
1
Low drain-source ON-resistance: R  
DS (ON)  
= 6.8 mΩ (typ.)  
5.0±0.2  
0.95±0.05  
0.166±0.05  
High forward transfer admittance: |Y | =46 S (typ.)  
fs  
Low leakage current: I  
= 10 µA (max) (V = 30 V)  
DS  
DSS  
0.05  
S
S
Enhancement mode: V = 1.1 to 2.3 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
th DS  
1.1±0.2  
1
4
Maximum Ratings  
=
(Ta 25°C)  
4.25±0.2  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
8
5
0.8±0.1  
V
30  
30  
V
V
V
Drain-source voltage  
DSS  
1,2,3：SOURCE  
5,6,7,8：DRAIN  
4：GATE  
Drain-gate voltage (R  
= 20 kΩ)  
V
DGR  
GS  
V
±20  
27  
JEDEC  
―
Gate-source voltage  
GSS  
DC  
(Note 1)  
I
D
JEITA  
―
Drain current  
A
Pulsed (Note 1)  
I
81  
DP  
TOSHIBA  
2-5Q1A  
Drain power dissipation (Tc=25℃)  
P
45  
W
W
D
D
Weight: 0.068 g (typ.)  
Drain power dissipation  
(t = 10 s)  
P
2.8  
1.6  
(Note 2a)  
(t = 10 s)  
(Note 2b)  
Drain power dissipation  
Circuit Configuration  
P
W
D
Single-pulse avalanche energy  
(Note 3)  
E
95  
27  
mJ  
A
AS  
8
7
6
5
Avalanche current  
I
AR  
Repetitive avalanche energy  
E
2.7  
mJ  
AR  
(Tc=25℃) (Note 4)  
T
T
150  
°C  
°C  
Channel temperature  
ch  
−55 to 150  
Storage temperature range  
stg  
1
2
3
4
Note: For Notes 1 to 4, refer to the next page.  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.  
1
2006-01-17  
1234567

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