TPC6010-H

更新时间： 2024-10-28 12:33:23

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东芝 - TOSHIBA		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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描述
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)

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TPC6010-H 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.66	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	6.1 A	最大漏源导通电阻：	0.063 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	38 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TPC6010-H 数据手册

TPC6010-H

MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)

TPC6010-H

1. Applications

•

High-Efficiency DC-DC Converters

Notebook PCs

Mobile Handsets

2. Features

(1) Small, thin package

(2) High-speed switching

(3) Small gate charge: QSW = 2.7 nC(typ.)

(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 43mΩ (typ.) (VGS = 4.5 V)

(5) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 60 V)

(6) Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.1 mA)

3. Packaging and Internal Circuit

1, 2, 5, 6: Drain

3: Gate

4: Source

VS-6

4. Absolute Maximum Ratings (Note) (Ta = 25 unless otherwise specified)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current (DC)

Drain current (pulsed)

Power dissipation

VDSS

VGSS

±20

(Note 1)

(Note 2)

(Note 3)

(Note 4)

6.1

IDP

24.4

2.2

(t = 5 s)

Power dissipation

0.7

Single-pulse avalanche energy

Avalanche current

EAS

IAR

5.37

6.1

Channel temperature

Storage temperature

Tch

Tstg

150



-55 to 150

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

("Handling Precautions"/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

2010-11-30

Rev.1.0

12 3 4 5 6 7...9

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