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TPC6104 PDF预览

TPC6104

更新时间： 2024-01-14 17:46:50
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 206K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIII)

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TPC6104 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, 2-3T1A, 6 PIN针数：6
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.69
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：5.5 A
最大漏源导通电阻：0.06 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TPC6104 数据手册

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TPC6104  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIII)  
TPC6104  
Notebook PC Applications  
Portable Equipment Applications  
Unit: mm  
•
•
•
•
Low drain-source ON resistance: R  
= 33 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 12 S (typ.)  
fs  
= −10 µA (max) (V  
Low leakage current: I  
= −20 V)  
DS  
DSS  
Enhancement mode: V = −0.5 to −1.2 V  
th  
(V  
= −10 V, I = −200 µA)  
DS  
D
Maximum Ratings  
=
(Ta 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
20  
Unit  
Drain-source voltage  
V
−
V
V
V
DSS  
Drain-gate voltage (R  
= 20 kΩ)  
V
DGR  
−20  
±8  
GS  
Gate-source voltage  
V
GSS  
I
−5.5  
−22  
DC  
(Note 1)  
D
Drain current  
A
I
Pulse (Note 1)  
DP  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Drain power dissipation  
Drain power dissipation  
(t = 5 s)  
2.2  
W
W
P
D
D
(Note 2a)  
(t = 5 s)  
(Note 2b)  
0.7  
4.9  
P
TOSHIBA  
2-3T1A  
mJ  
A
Single pulse avalanche energy(Note 3)  
Avalanche current  
E
AS  
Weight: 0.011 g (typ.)  
I
−
2.75  
AR  
Repetitive avalanche energy (Note 4)  
Channel temperature  
E
0.22  
150  
mJ  
°C  
°C  
AR  
Circuit Configuration  
T
ch  
−55~150  
Storage temperature range  
T
stg  
6
5
4
3
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
56.8  
Unit  
°C/W  
Thermal resistance, channel to ambient (t = 5 s)  
(Note 2a)  
R
th (ch-a)  
th (ch-a)  
1
2
Thermal resistance, channel to ambient (t = 5 s)  
(Note 2b)  
R
178.5 °C/W  
Note: Note 1, Note 2, Note 3, Note 4 and Note 5: See the next page.  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Please handle with caution.  
1
2004-07-06  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TPC6104(TE85L,F,M) TOSHIBA

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 		MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A
TPC6104_06 TOSHIBA

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