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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 1页 | 111K |  |
| 描述 | ||
| SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE,82V V(BO) MAX,300MA I(S),TO-220 | ||
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 最大转折电压： | 82 V |
| 最大维持电流： | 120 mA | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 重复峰值反向电压： | 56 V | 子类别： | Breakover Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TPC62A18 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE,82V V(BO) MAX,300MA I(S),TO-220 |
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| TPC62B12 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE,75V V(BO) MAX,300MA I(S),TO-220 |
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| TPC62B18 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE,75V V(BO) MAX,300MA I(S),TO-220 |
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| TPC6501 | TOSHIBA |
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Silicon NPN Epitaxial Type |
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| TPC6501_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Transistor Silicon NPN Epitaxial Type |
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| TPC6502 | TOSHIBA |
获取价格 |
Transistor Silicon NPN Epitaxial Type |
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| TPC6502(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TPC6502(TE85L) |
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| TPC6502(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 6-Pin VS T/R |
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| TPC6503 | TOSHIBA |
获取价格 |
Transistor Silicon NPN Epitaxial Type |
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| TPC6503(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
Trans Digital BJT NPN 20V 1.5mA 6-Pin VS T/R |
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