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TPC6601

更新时间： 2024-02-28 17:23:03
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东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 152K
描述
Transistor Silicon PNP Epitaxial Type

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TPC6601 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.51
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：1
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：1.6 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TPC6601 数据手册

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TPC6601  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type  
TPC6601  
High-Speed Switching Applications  
Unit: mm  
DC-DC Converter Applications  
•
•
•
High DC current gain: h  
= 200 to 500 (I = −0.3 A)  
FE C  
Low collector-emitter saturation voltage: V  
= −0.2 V (max)  
CE (sat)  
High-speed switching: t = 90 ns (typ.)  
f
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
−50  
−50  
V
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
−7  
DC  
I
−2.0  
−3.5  
−0.2  
0.8  
C
Collector current  
Base current  
A
A
Pulse  
I
CP  
I
B
DC  
P
C
Collector power  
dissipation  
W
(Note 1)  
t = 10 s  
1.6  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Junction temperature  
T
150  
°C  
°C  
j
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
TOSHIBA  
2-3T1A  
Note 1: Mounted on an FR4 board (glass epoxy, 1.6 mm thick, Cu  
area: 645 mm2)  
Weight: 0.011 g (typ.)  
Note 2: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of  
high temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to  
decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
1
2006-11-10  
12345

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